直播時間：
2025年5月29日 14:00
直播主題：
14:00 《提高PowiGaN開關的耐壓能力，簡化高壓應用中高效率、高性價比功率變換的設計》
15:00 《GaN HEMT器件損耗及老化原理分析》
內容介紹：
《提高PowiGaN開關的耐壓能力，簡化高壓應用中高效率、高性價比功率變換的設計》
在實現多路輸出離線功率變換的設計方面，離線反激式功率變換被公認為是具有極高性價比的方法。在同時具有高輸入電壓和高輸出電壓的應用中，初級開關的電壓應力一直是一個限制因素。這些應用包括焊接設備、工業(yè)設備輔助電源、照明和電動汽車充電。在這些應用中，輸出電壓通常超過50V，在功率開關關斷期間，該電壓會反射到功率變換器的初級側。變壓器圈數比可增加施加到初級的電壓（稱為“輸出反射電壓”，簡稱為VOR），該電壓會加到直流母線電壓上，而直流母線電壓由輸入電壓與功率變壓器初級繞組中存儲的漏感能量換向引起的關斷電壓尖峰（存儲的漏感能量所產生的電壓，簡稱為VLE）決定。這三個因素在增加了初級開關的電壓應力。
在Power Integrations推出的InnoSwitch3-EP和InnoMux2系列IC中，其內部分別集成了采用PowiGaN™技術的具有極高性價比的900V、1250V和1700V開關，這些器件可大大簡化高壓環(huán)境下單路輸出和多路輸出電源的設計。在本講座中，我們將介紹這項新技術，展示其在實際功率變換電路中的應用，并明確指出可從這項技術中受益的新應用。開關損耗不容忽視，因為當VDS電壓增至230VAC以上時，二階電壓效應會變得非常明顯。此外，我們還將深入探討多項軟開關技術，了解如何對施加到功率開關COSS上的極高漏源極電壓的影響加以控制（盡管隨著寬禁帶半導體開關特性的改進，這種影響已有所降低）。
《GaN HEMT器件損耗及老化原理分析》
一、GaN HEMT結構特點及優(yōu)勢
二、GaN HEMT損耗分析
三、GaN HEMT寄生電容變化分析
四、老化原理及衍生效果
五、實驗測試
主講人：
胡早勝
Power Integrations 資深技術培訓經理
閻金光畢業(yè)于哈爾濱工程大學電子工程專業(yè)，早期工作于中國科學院沈陽科學儀器研制中心，從事線性及半橋開關電源產品的研發(fā)。2001年加入Power Integrations，作為高級技術應用支持工程師致力于開關電源IC的推廣及應用工作。在對客戶產品研發(fā)、生產提供技術支持的過程當中積累了豐富的現場及應用技術知識。目前工作于Power Integrations圣何塞總部，主要負責Power Integrations 產品技術培訓及市場推廣工作，對AC/DC開關電源設計及應用有較深入的理解和研究。
高圣偉
天津工業(yè)大學電氣工程學院 教授高圣偉教授
主要研究方向為電力電子技術。近年來，發(fā)表科技論文30余篇，其中SCI/EI檢索20篇，授權發(fā)明專利5項，主持完成國家級科技項目1項，天津市科技項目3項，企業(yè)科研項目多項；參與完成省部級以上科技項目多項。
