氮化鎵(GaN) 作為一種寬禁帶的直接帶隙半導體,它有著很寬的直接帶隙,很高的擊穿場強,很高的熱導率和非常好的物理、化學穩定性。PI通過專有的PowiGaN技術制造而成的1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux2，是業界首款，也是唯一一顆1700V氮化鎵開關IC。此款寬禁帶氮化鎵開關IC成為行業用戶在電動汽車市場，1700 伏額定值對于 800 伏和 1000 伏電池系統中的反激式電源至關重要。

對于1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux2開關IC，在1360V時可以提供80%的降額，這非常適合汽車充電器、太陽能逆變器、三相電表和各種工業電源系統等場景中，可取代昂貴的碳化硅。這狂應用性能非常高的開關IC，InnoMux-2獨特的SR-ZVS技術可在多路輸出的反激式電源設計中實現零電壓開通（ZVS），且不需要有源鉗位或任何額外器件。通過ZVS，可在1000VDC下保證開關損耗的降低。

PI的1700V InnoMux2，可實現多路高精度輸出，同時還保證了系統效率最大化以及成本和尺寸的最小化。

InnoMux2在實現多路輸出精確調整的同時，僅損失了2%的額外損耗，這遠優于單輸出的92%變換效率。這種優勢對于整體系統滿足能效標準、提升供電電源的待機性能具有顯著意義。

在多路輸出電源的應用場景中，InnoMux-2通過其獨到的能量導引控制策略，成功突破了傳統多路電源方案在效率、空載功耗和輸出精度方面的局限，最終達到了90%的系統效率。基于寬禁帶高性能1700V氮化鎵開關IC消除了對后級DC-DC變換器的依賴，從而簡化了多路輸出電源的架構