一、什么是寬禁帶半導體？

寬禁帶半導體（Wide Bandgap Semiconductor, WBG）是指禁帶寬度（Bandgap）大于傳統硅（Si）材料的半導體，主要包括 碳化硅（SiC） 和 氮化鎵（GaN）。

相較于硅基器件，寬禁帶半導體具有：

更高耐壓能力（適用于高壓場景）

更高開關頻率（提升電源效率） 

更低導通損耗（減少發熱，提高能效）

更高工作溫度（適用于惡劣環境）

寬禁帶半導體對比

二、PI（Power Integrations）在寬禁帶半導體領域的解決方案

PI 是一家專注于高效電源轉換技術的公司，其產品廣泛應用于 GaN 驅動、高壓電源管理 等領域。以下是 PI 在寬禁帶半導體應用中的明星產品：1. InnoSwitch™4-CZ 系列（GaN 集成電源 IC）

 特點：集成 GaN 開關管，效率高達 95%+; 適用于 USB PD 快充、工業電源; 減少外圍元件，降低 BOM 成本.

典型應用：

  65W-100W 氮化鎵快充適配器 和     服務器/通信電源

特點：

    專為 SiC MOSFET / GaN HEMT 優化

    提供 高精度隔離驅動，降低開關損耗

    支持 高頻開關（MHz 級）

典型應用：

    電動汽車 OBC（車載充電機）

    太陽能逆變器

SCALE-iDriver 驅動方案

三、個人使用 PI 芯片的經驗分享：

我在設計一款 65W 氮化鎵快充 時，選用了 PI 的 InnoSwitch3-Pro，主要優勢：

  1. 簡化設計：集成 GaN + PWM 控制器，減少 PCB 面積。

  2，高效率：實測滿載效率 94%，溫升比傳統方案低 15℃。

  3. 快速保護：內置過壓/過流/過溫保護，提升可靠性。

若需 高頻高效 電源，優先考慮 PI 的 GaN 方案。 對于 高壓大電流 場景（如光伏逆變器），SCALE-iDriver 是理想選擇。