INN3949CQ的二次側(cè)提供輸出電壓檢測、輸出電流檢測以及同步整流MOSFET（SR FET）的柵極驅(qū)動。SR FET Q100和Q101對變壓器T200次級繞組的電壓進行整流，然后通過輸出電容器C102、C103、C104和C105進行濾波。由電阻R100、R101和電容器C100形成的RC型緩沖器抑制了SR FET漏源節(jié)點中的高頻振鈴。IC200內(nèi)部的二次側(cè)控制器控制SR FET的開關(guān)。定時基于通過電阻R109從FWD引腳檢測到的負邊電壓轉(zhuǎn)換。電容器C109和電阻R109形成一個低通濾波器，減少了FWD引腳看到的電壓尖峰，并確保不超過150V的最大額定值。
在連續(xù)導(dǎo)通模式操作中，初級側(cè)功率MOSFET在二次側(cè)控制器請求來自初級的新開關(guān)周期之前剛剛關(guān)閉。 在斷續(xù)模式下，當SR MOSFET上的電壓低于某個閾值VSR(TH)時，SR MOSFET關(guān)閉。二次側(cè)對初級側(cè)功率MOSFET的控制消除了兩個開關(guān)之間交叉導(dǎo)通的可能性，并確保了可靠的SR操作。 IC的二次側(cè)由次級繞組的前向電壓（通過R109和FWD引腳）或輸出電壓（通過VOUT引腳）供電。在兩種情況下，能量都通過內(nèi)部調(diào)節(jié)器用于給去耦電容器C110充電。
INN3949CQ IC具有1.265V的內(nèi)部參考FB引腳。電阻R105和R106為InnoSwitch3-AQ設(shè)計形成基本的分壓反饋網(wǎng)絡(luò)。然而，對于此設(shè)計，由R105和R106設(shè)置的輸出電壓值比目標輸出電壓高10-15%，這是實現(xiàn)精確電壓調(diào)節(jié)電路的要求。電容器C106提供了對影響電源操作的高頻噪聲的去耦。電容器C107和R104形成了一個前饋網(wǎng)絡(luò)，以加快反饋響應(yīng)時間并降低輸出紋波。
通過監(jiān)測并聯(lián)電阻R102和R103上的電壓降來檢測輸出電流。所得的電流測量結(jié)果通過去耦電容器C108進行濾波，并在IS和SECONDARY GROUND引腳上進行監(jiān)測。大約35mV的內(nèi)部電流檢測閾值用于減少損耗。一旦超過該閾值，INN3949CQ IC200將調(diào)整脈沖數(shù)量以保持固定的電流輸出（CC模式）。當輸出電壓低于調(diào)節(jié)值的90%時，IC將進入自動重啟（AR）操作，并在負載電流降低到CC限制以下時恢復(fù)。 肖特基二極管D102限制了IS引腳上的電壓，以在輸出短路事件期間保護它。
