FluxLink是一項磁感電氣隔離通信技術(shù)。由兩個間距為0.4mm的磁感耦合導(dǎo)體構(gòu)成，并且嵌入在同質(zhì)絕緣材料中。

InnoSwitch3-EP反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列提供了不同耐壓水平、靈活多樣的選項。

縮小散熱器尺寸，靠PCB板進(jìn)行散熱還是要注意一些具體的事項，確保溫度是可控，不影響性能發(fā)揮。

InnoSwitch3-EP器件均具有同步整流控制、波谷開通的非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)反激式控制器。

FluxLink通信技術(shù)可使IC封裝位于安規(guī)隔離帶上，從而省去光耦器。

設(shè)計時可根據(jù)其應(yīng)用選擇最佳的開關(guān)技術(shù)，從而簡化設(shè)計，體積也可以做的相對小。

INN3690C可以在超過93%的效率下輸出高達(dá)100W的功率，從而有效縮小散熱器尺寸，甚至完全省去散熱器，僅靠PCB板進(jìn)行散熱。

為了提高效率，還必須選擇具有較低傳導(dǎo)損耗的有源器件。比如導(dǎo)通損耗低的MOS管。

反激輸出過程需要考慮信號毛刺帶來的影響么

怎么樣確保信號傳輸?shù)母綦x傳輸一直穩(wěn)定

反擊隔離傳輸對信號頻率有哪些特殊要求

電源用INN3673芯片設(shè)計的用于9W隔離反激式設(shè)計，輸出為9V，電流大小為1 A，在115VAC輸入下，滿載時效率為91%，在10%負(fù)載下效率為89%，同時具備出色的CV/CC精度，且不受外部組件參數(shù)誤差的影響。

如何實現(xiàn)高壓開關(guān)與次級控制電路的緊湊集成？

如何實現(xiàn)更高電壓隔離等級且保持高效率的電源設(shè)計？

該系列器件提供標(biāo)準(zhǔn)輸出功率和峰值輸出功率選項。

PowiGaN器件能夠輕松耐受全球范圍內(nèi)的輸入浪涌和電壓驟升，電路設(shè)計值得推薦

額外增加的與SR MOSFET并聯(lián)的肖特基二極管可以略微提高效率。

PowiGaN耐應(yīng)力比較高嗎，持續(xù)時間較長的輸入浪涌，高的電壓尖峰也可以抗住啊

GaN具有極快的開關(guān)速度和優(yōu)異反向恢復(fù)性能，在低損耗、高效率應(yīng)用場合優(yōu)勢明顯。

在次級MOSFET導(dǎo)通開始期間以及次級電流達(dá)到零或次級MOSFET關(guān)斷之前，該二極管導(dǎo)通而不是MOSFET體二極管導(dǎo)通。

該系列的開關(guān)電源有較高的輸出功率，而不同型號的的開關(guān)電源IC有不同的輸出功率。

電路配合標(biāo)準(zhǔn)的變壓器結(jié)構(gòu)技術(shù)即可提供優(yōu)于線性變壓器電源的輸出負(fù)載穩(wěn)壓精度

反激電源設(shè)計有哪些特點(diǎn)

PI特有的PowiGaN技術(shù)可提供實現(xiàn)900V耐壓所需的可靠性和耐用性。同時還能提高功率和效率。

INN3679內(nèi)置的同步整流(SR)驅(qū)動器，允許使用低成本的低壓MOSFET進(jìn)行同步整流，并可提高系統(tǒng)效率。

集成了初級和次級多模準(zhǔn)諧振反激式控制器，高電壓場效應(yīng)管，次級傳感和同步整流驅(qū)動器，且在不同負(fù)載條件下效率均可達(dá)94%。

INN3679采用InSOP-24D封裝，該封裝為引腳封裝，具備安全、可靠、成本低的特點(diǎn)。

INN3679優(yōu)異的恒壓/恒流精度，不受變壓器設(shè)計或外圍元件的影響。

InnoSwitch3在整個負(fù)載范圍內(nèi)表現(xiàn)出卓越的高效能運(yùn)行能力，采用了先進(jìn)的PowiGaN技術(shù)

在功率MOSFET處于關(guān)斷期間，初級旁路引腳中的內(nèi)部穩(wěn)壓器器會從漏極引腳電壓吸收電流