我本次調試的樣機主控IC為思睿達主推的成都啟臣微的CR6842S, 這是一款高度集成的電流控制型 PWM 控制器，可用于中型到大型的離線式電源轉化器。主要特點有：低啟動電流、內置軟啟動、綠色模式獨有的變頻和跳頻工作模式。主要應用于電源適配器及電池充電器。
【樣機圖片】
【輸出規格】67V2A
我們都知道開關MOS管是開關電源中除主控IC外最關鍵的一個器件，如果MOS管損壞了，那么整個電源將完全失效，還有可能會導致交流短路，這是十分危險的，MOS擊穿以后也會導致周圍一大片器件損壞，排查起來也十分麻煩，所以預防MOS損壞就十分重要了，那么大家有沒有遇到過空載切滿載時 MOS波形會有過沖的現象呢，下面我將分享一個能解決此現象的一個方法。
可以看到在沒改動之前MOS波形在空載切滿載時MOS會有過沖的現象，然后再慢慢下來，雖然只有短短1~2秒鐘，但是如果此時MOS正好處與較為臨界的狀態下的話，就會有超出MOS耐壓值的風險，一般我們常用的MOS耐壓值為650V，以下波形為220VAC輸入時的MOS波形，最高值已經高達610V，那么在264VAC輸入時就很有可能會超過MOS耐壓值。
那么如何解決這一問題呢？其實很有可能是光耦1腳，也就是供電腳的電阻（下圖的R17）取值不對造成的
此電阻為給光耦供電的電阻，可以看到它是直接接到輸出上的，也承擔分壓的作用，輸出電壓越大的話這顆電阻的取值就要越大，否則就會出現上述情況，一般輸出電壓較低的機子（如12V、24V）取值一般為3-5KΩ，再大的話（如48V、72V），就要取10K以上才能保證光耦的供電在正常范圍（一般光耦1腳耐壓為36V）， 輸出電壓過大的情況下也可串聯一個36V以下的穩壓管進行穩壓。原機該電阻用的是1K，顯然太小了，根據經驗我取了一顆15K電阻，也可根據公式算出一個大概值：
R=Vo-光耦正向導通壓降-Vka/1.5/2，其中光耦正向導通壓降為1.2-1.4V，Vka為431的V級和K級之間的比較電壓，一般Vka>=2.5V.
（67-1.4-2.5）/1.5=42K，為了保留余量這個值還要再除以2，所以R=21K，該67V輸出的電源光耦供電電阻取值最大可取21K，留余量是因為光耦是一個發光二極管，會有一定的光衰。
修改后的MOS波形如下：
可以看到修改后的MOS波形已經沒有了明顯的過沖，220VAC輸入時MOS尖峰僅為540V左右，即使是264VAC輸入也會在安全范圍內。
至此這個電源的一個炸機風險已排除，可以看到該方法的優化還是挺大的，大家如果遇到類似情況也可嘗試此方法，也歡迎大家一起交流有關開關電源調試方面的問題。
