INN3379芯片采用FluxLink 通信技術(shù)，無需使用任何磁芯材料即可在安規(guī)隔離帶之間進行反饋控制。

InnoSwitch3-Pro系列芯片內(nèi)置SenseFET無損檢測電路，相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測能夠降低損耗，提升效率。

采用PowiGaN技術(shù)，內(nèi)置PWM控制器、高壓MOS、同步整流控制器等，集成度非常高。

并且采用數(shù)字總線控制調(diào)壓。寬電壓范圍條件下，密閉外殼內(nèi)可以輸出65W功率。

同時為了讓每個器件達到最佳的性能，該芯片還集成了FluxLink技術(shù)，可以實現(xiàn)初級和次級的實時通信。

內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大功率。

這個信號源的傳輸效率會一直保持穩(wěn)定么

雙USB接口的信號傳輸曲線會發(fā)生相互干擾么

原來是二合一電源。我以為一只就輸出65瓦呢

此方案性價比非常不錯，墻壁多路USB輸出電源實用性非常高，這樣可以減少智能設備適配器的應用，節(jié)省應用空間。

看起來比較復雜

看點路就知道非常可靠

“如何優(yōu)化INN3379芯片在雙路USB PD控制電源中的熱管理和效率？”

INN3379和IP2738開發(fā)的雙路 USB- PD控制電源，輸出功率65w，雙USB PD 3.0電源。具有高功率密度的特點，適合智能家居的場景。

氮化鎵功率器件高頻率低損耗的優(yōu)勢，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量，更加便于攜帶。

當輸出電流低于CC閾值時，轉(zhuǎn)換器以恒定電壓模式工作。 輸出電壓由INN3379的VOUT引腳監(jiān)控。 

與電流調(diào)節(jié)類似，輸出電壓也與通過I2C接口設置的內(nèi)部電壓閾值進行比較，IC內(nèi)部的控制器通過控制開關(guān)脈沖的數(shù)量來調(diào)節(jié)輸出電壓。

通過次級控制器控制原邊的開關(guān)，最大程度的控制同步整流MOS導通時間，實現(xiàn)最高效率。

適當?shù)钠每梢愿纳祈憫木€性，使得輸出信號與輸入電流之間的關(guān)系更加接近理想的直線

在應用過程中只需要搭配一些必要的被動元器件和協(xié)議芯片，即可完成高性能快充產(chǎn)品的設計。

IP2738支持QC5/QC4+和USB PD3.0/3.1快充協(xié)議，采用數(shù)傳與PI INN3379C通訊，調(diào)節(jié)輸出電壓。

對于小功率30W以內(nèi)的小功率PD快充而言，可以選用內(nèi)置MOS芯片，兼顧性能和成本。

通過I2C接口，系統(tǒng)可以動態(tài)地調(diào)整電流檢測閾值，以適應不同的工作條件和電池狀態(tài)

而對于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片

GaN晶體管硅晶體管電源的效率更高、溫度更低、尺寸更小，率先實現(xiàn)大功率電源的無散熱片設計。