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工業電源中GaN的應用 你知道多少?

傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能把功率密度做的更高。而GaN更優的開關能力可以使其用更少的器件更有效地轉換更高水平的功率。

因為用GaN材料制成的功率器件GaN FET具有低的擊穿電壓、低的閾值電壓、低的柵極電荷Qg,其開關頻率高,導通電阻小。所設計的產品更容易實現小尺寸、低損耗。

但是GaN FET也有缺點,在高頻應用場合表現比較明顯,比如其對寄生參數極其敏感,高頻使用時極易使柵極電壓產生振蕩,引起柵極過電壓,導致器件工作不穩定,甚至不安全。因此相較于傳統的Si基半導體器件的驅動電路,GaN FET的驅動設計要求更為嚴苛。

如下圖,功率氮化鎵場效應晶體管具備極低的Qrr和非常快速的開關轉換,開關損耗更低,效率更高。

基于PI的氮化鎵InnoSwitch系列器件所開發產品在效率體積方面就很有優勢,得到了廣泛的商用。

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2024-06-25 16:36

使用GaN作為功率器件是否意味著在電源供應器中可以同時實現更高的功率密度和更高的效率,而不需要犧牲外形尺寸和散熱性能?

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小布叮
LV.4
3
2024-06-25 18:46

氮化鎵需要特殊的驅動器嗎,還是說普通MOS管驅動器就可以實現?

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2024-06-25 20:29

受限擊穿電壓,是不是會影響信號高速傳導

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2024-06-25 21:33

擊穿電壓低、閾值電壓低、柵極電荷Qg低,開關頻率高,導通電阻小,這些都是GaN材料的優勢。

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XHH9062
LV.9
6
2024-06-25 21:42

氮化鎵器在電源中具體應用很多

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denyuiwen
LV.7
7
2024-06-26 12:54

半導體功率器件在功率轉換應用中充當開關電源——處于“關斷”狀態阻斷電流,即使在施加的電壓很高時也是如此;處于“導通”狀態時,對電流的流動阻力要非常小。因此,功率半導體材料需要具有高擊穿電場和高電荷遷移率。電力電子領域,GaN和SiC取代硅基電子器件,正是由于它們在這些方面比硅材料性質更大的優勢。

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2024-06-26 14:08

盡管GaN在工業電源中具有許多優點,但其制造和應用仍面臨一些挑戰

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2024-06-26 14:09

所謂的挑戰就是 高成本、技術難題和市場競爭等

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2024-06-26 14:09

GaN在工業電源中的應用為電源電子行業帶來了革命性的變化

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only one
LV.8
11
2024-06-26 22:17

因為用GaN材料制成的功率器件GaN FET具有低的擊穿電壓、低的閾值電壓、低的柵極電荷Qg,其開關頻率高,導通電阻小。,價格會高很多嗎

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方笑塵MK
LV.8
12
2024-07-15 08:44

GaN的高頻特性有助于設計更小、更輕的系統,同時保持高功率輸出

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cwm4610
LV.6
13
2024-07-25 21:36

好帖子,知識普及,大家可以去看看。還是有很多收獲的

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dy-StTIVH1p
LV.8
14
2024-07-25 22:38

擊穿電壓對信號傳輸有哪些特殊要求

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2024-07-27 01:07

工業GAN了解不太多 學習了

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沈夜
LV.8
16
2024-07-28 21:03

如何提高GaN FET在高頻應用中的穩定性和安全性?

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CDJ01
LV.5
17
2024-07-28 21:51

GaN驅動電路設計該如何減少寄生參數對其的影響

0
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千影
LV.6
18
2024-07-28 21:54

如何提高GaN FET的驅動電路的可靠性和穩定性?

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k6666
LV.9
19
2024-08-05 15:24
@小布叮
氮化鎵需要特殊的驅動器嗎,還是說普通MOS管驅動器就可以實現?

使用該技術空載功耗更低,使電源設計能夠輕松符合所有全球能效標準。

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方笑塵MK
LV.8
20
2024-08-05 18:14

GaN技術在工業電源中的應用包括電信和服務器電源、太陽能系統和儲能系統、電池測試、汽車OBC和直流/直流轉換器以及HVAC和電器等

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k6666
LV.9
21
2024-11-07 08:59
@方笑塵MK
GaN的高頻特性有助于設計更小、更輕的系統,同時保持高功率輸出

PowiGaN初級開關可提供極低的RDS(ON),并降低開關損耗。

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