原理圖原邊兩路隔離電壓并聯(lián)輸入,副邊輸出6V串聯(lián)成12V。現(xiàn)在是直流輸入(測試給電),單路6V拉載,原邊MOS管電壓應(yīng)力Vds的漏感振蕩會到0,這個是什么原因?qū)е碌哪兀扛边叺?31和光耦參數(shù)有問題嗎?
,求解惑
原理圖原邊兩路隔離電壓并聯(lián)輸入,副邊輸出6V串聯(lián)成12V。現(xiàn)在是直流輸入(測試給電),單路6V拉載,原邊MOS管電壓應(yīng)力Vds的漏感振蕩會到0,這個是什么原因?qū)е碌哪兀扛边叺?31和光耦參數(shù)有問題嗎?
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對RCD參數(shù)進(jìn)行修改: 原本如圖1,Vds=682V; R減小,得到圖2,Vds為658V; C加大,得到圖3,Vds為569。 以上應(yīng)力雖然得到改善,但是向下的尖峰振蕩依然會降到很低。 D原本用的是GS5M,現(xiàn)在在圖3的基礎(chǔ)上將D改為1us的慢二極管,得到圖4,Vds為489V。尖峰振蕩得到了很大的改善,目前現(xiàn)象是得到了很大的改善,還需要再測下其他方面會不會有異常的負(fù)面影響。(以上Vds應(yīng)力都忘記不限制帶寬了,對比實驗,請忽
) 圖5用的是ES3J-35ns的二極管,240Vin-dc,Vds直接到了803V,900V的封裝