日前，PI宣布推出第五代InnoSwitch系列，名為InnoSwitch 5-Pro的高效率、可數(shù)字控制的反激式開(kāi)關(guān)IC，采用創(chuàng)新的次級(jí)側(cè)控制方式，無(wú)需額外使用高成本的專用高壓開(kāi)關(guān)即可實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)，效率超過(guò)95%。

這款新IC內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN初級(jí)開(kāi)關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink隔離反饋功能和具有I2C接口的次級(jí)控制器，可優(yōu)化緊湊型、高效率單口或多口USB PD適配器的設(shè)計(jì)和制造。其應(yīng)用領(lǐng)域包括筆記本電腦、高端手機(jī)和其他便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品，包括要求支持新的USB PD EPR（擴(kuò)展功率范圍）協(xié)議的設(shè)計(jì)。 

快充市場(chǎng)卷出新高度

閻金光用“風(fēng)暴仍在繼續(xù)”來(lái)形容目前的快充市場(chǎng)。近幾年，得益于手機(jī)行業(yè)的持續(xù)發(fā)展，快充頭的發(fā)貨量持續(xù)增長(zhǎng)，再加上筆記本和其他家電行業(yè)對(duì)于USB PD的導(dǎo)入，市場(chǎng)預(yù)計(jì)USB PD控制器發(fā)貨量將從2022年的不到20億只成長(zhǎng)到2028年的46億只以上，在這種高速增長(zhǎng)下市場(chǎng)前景一片光明。

但是，快速發(fā)展的行業(yè)必然會(huì)帶來(lái)更多苛刻的技術(shù)挑戰(zhàn)，閻金光列出了主要的三大趨勢(shì)，包括不斷增大的輸出功率，不斷縮小的體積以及更低的系統(tǒng)成本。這三個(gè)挑戰(zhàn)其實(shí)是互相矛盾的，但對(duì)最卷的IC行業(yè)而言，必須持續(xù)創(chuàng)新，以滿足客戶的最新要求。

另外，標(biāo)準(zhǔn)及協(xié)議的多樣化，也給芯片帶來(lái)了挑戰(zhàn)，比如歐盟和北美采用的USB PD和PPS 3.1，中國(guó)特有的UFCS以及手機(jī)OEM們的私有協(xié)議，比如VOOC、VFC、SCP、UFCS等等。這就要求芯片及方案盡可能滿足所有協(xié)議，以方便設(shè)計(jì)及供應(yīng)鏈管理。

“三全其美”的InnoSwitch 5-Pro

InnoSwitch 5-Pro通過(guò)高集成度，高效率以及可編程性，同時(shí)滿足了在靈活性、高功率密度以及低成本等方面的挑戰(zhàn)。

閻金光表示，InnoSwitch 5-Pro轉(zhuǎn)換效率可達(dá)95%，最主要原因是采用了氮化鎵（GaN）的功率開(kāi)關(guān)。值得注意的是，此次InnoSwitch 5-Pro可選750V和900V兩種耐壓規(guī)格的GaN，因此可以適應(yīng)印度等電網(wǎng)不穩(wěn)定的場(chǎng)景中。另外則是使用了零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）技術(shù)，以及變頻的開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)了高轉(zhuǎn)換效率并降低了溫升，使設(shè)計(jì)人員能夠省去熱管理所需的散熱片、導(dǎo)熱片和灌封材料，從而進(jìn)一步減小尺寸，降低元件成本和制造復(fù)雜性。

PI專利的變頻開(kāi)關(guān)技術(shù)，與傳統(tǒng)PWM不同，可以實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)速度，提升動(dòng)態(tài)性能，可以使用較小的輸出電容，從而節(jié)省成本并降低電源尺寸。

InnoSwitch 5-Pro支持I2C可編程，因此適合不同國(guó)家或地區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)，且適用于任何MCU，并且故障響應(yīng)也可編程，以便及時(shí)做出快速反應(yīng)。

第三，則是InnoSwitch 5-Pro具有高集成度，功率開(kāi)關(guān)及其驅(qū)動(dòng)器，初級(jí)測(cè)控制器及驅(qū)動(dòng)器，同步整流驅(qū)動(dòng)，F(xiàn)luxLink（磁感耦合）通訊以及全面的保護(hù)和遙測(cè)報(bào)告功能。

整體而言，InnoSwitch 5-Pro延續(xù)了PI經(jīng)典的InnoSwitch Pro系列產(chǎn)品，包括FluxLink，次級(jí)側(cè)控制，遙測(cè)報(bào)告，I2C編程等功能都有。

該系列可支持不同功率，從而適合多種場(chǎng)合應(yīng)用，包括各類快充，插座，筆記本電腦等。

創(chuàng)新突破的ZVS技術(shù)

正如PI高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Adnaan Lokhandwala所說(shuō)：“ZVS與GaN（氮化鎵）相結(jié)合，能為電源注入神奇魔力。開(kāi)關(guān)損耗幾乎為零，并且我們可以利用GaN的低導(dǎo)通損耗來(lái)實(shí)現(xiàn)超緊密的適配器布局，其元件數(shù)量遠(yuǎn)少于非對(duì)稱半橋(AHB)電路或有源鉗位方案。”

其中非對(duì)稱半橋類似于LLC諧振變換器，但是AHB要加PFC，因此考慮兩級(jí)電路模式轉(zhuǎn)換都會(huì)有損耗，因此整體效率也并不高。

而對(duì)于有源鉗位，同樣可以實(shí)現(xiàn)ZVS，在InnoSwitch 4-Pro設(shè)計(jì)中，可以結(jié)合ClampZero有源鉗位 IC實(shí)現(xiàn)ZVS。

顯然，這兩種方法都會(huì)增加的元器件數(shù)量以及額外的功率開(kāi)關(guān)。

但I(xiàn)nnoSwitch 5-Pro創(chuàng)新的拓?fù)浼夹g(shù)，可以通過(guò) SR 控制實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)，閻金光解釋了大致原理，其本質(zhì)是利用次級(jí)側(cè)的同步整流功率管來(lái)泄放能量。

如圖所示，第一步是在下一次功率管開(kāi)通前，次級(jí)側(cè)的整流管SR FET先開(kāi)啟，能量從次級(jí)側(cè)傳輸?shù)阶儔浩鳎坏诙绞顷P(guān)閉整流管，因?yàn)槌跫?jí)側(cè)電感的續(xù)流，可以將功率管的DS之間的電荷泄放，從而使Vds為零；第三步則是正常開(kāi)啟功率管，從而實(shí)現(xiàn)了零電壓開(kāi)啟的目的。

閻金光表示，該控制方式非常智能，無(wú)需傳統(tǒng)ACF電路，可以實(shí)現(xiàn)最高的效率，降低成本同時(shí)還可以減少設(shè)計(jì)復(fù)雜度。實(shí)測(cè)表明，即便是與準(zhǔn)諧振控制模式相比，也有1%左右的提升。

另外，該產(chǎn)品具有次級(jí)側(cè)的無(wú)損電壓感應(yīng)，可以用于自適應(yīng)的DCM/CCM/ZVS控制，這也是市場(chǎng)上唯一的產(chǎn)品。

支持豐富的協(xié)議

正如前面所說(shuō)，InnoSwitch 5-Pro的可編程特性，可以支持多種協(xié)議。

如圖所示，無(wú)論是USB PD還是UFCS，PI的產(chǎn)品均可支持。

閻金光特別強(qiáng)調(diào)了幾點(diǎn)，首先是例如在UFCS中，電壓的調(diào)整步長(zhǎng)是10mV，這就需要電源管理IC的精準(zhǔn)度足夠高。另外，在USB PD 3.1擴(kuò)展功率范圍以及未來(lái)的UFCS上，電壓要提高至15V-48V，因此InnoSwitch 5-Pro的電壓輸出范圍達(dá)到3 V至30 V的寬壓，上一代InnoSwitch 4-Pro產(chǎn)品的最高電壓為24V。同時(shí)，閻金光也表示，之所以是28V輸出，主要原因是目前市場(chǎng)上的大部分應(yīng)用都是≤30V。

另外，由于其支持可編程，因此可以實(shí)現(xiàn)輸出公差補(bǔ)償，在產(chǎn)品下線后，即便有公差及溫度系數(shù)等變化，同樣可以通過(guò)再編程校準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)于2%的高精度輸出恒流(CC)控制，以支持UFCS協(xié)議。

寫(xiě)在最后

作為快充及氮化鎵市場(chǎng)的引領(lǐng)著，PI近年來(lái)始終專注于這一市場(chǎng)，不斷致力于提升產(chǎn)品的功率和效率，及減少尺寸和成本。如今，市場(chǎng)上已經(jīng)有了越來(lái)越多的對(duì)手，但PI也沒(méi)有原地踏步，而是不斷創(chuàng)新，用技術(shù)引領(lǐng)市場(chǎng)的發(fā)展。

以InnoSwitch 5-Pro為例，通過(guò)在集成、控制、拓?fù)涞确矫娴膭?chuàng)新，使客戶可以更快開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)單高效、更高功率、更低成本、更小尺寸的適配器。

“創(chuàng)新技術(shù)會(huì)讓客戶看到我們的價(jià)值。”閻金光總結(jié)道。