最近在對一款單級反激LED驅動電源進行雷擊浪涌測試時，用示波器監測了初級主MOS管的漏源極電壓Vds和漏源極電流Ids，波形見圖片：藍色是電壓波形，黃色是電流波形。

已知MOS管Vds標稱耐壓是650VDC，正常工作時，MOS管的Vds關斷電壓+漏感電壓尖峰在560VDC左右。 從示波器圖片中可以看出，雷擊浪涌沖擊時，MOS管Vds關斷電壓升高到780VDC，同時有雪崩電流流過。

我想計算此時一個開關周期實際消耗在MOS管上的雪崩能量，并將此能量跟MOS管規格書上的雪崩能量數據進行對比。

我的疑問：①如果計算出的實際雪崩能量小于MOS管規格書上的雪崩能量數值， 是不是就說明MOS管在此雷擊浪涌條件下基本是安全的，不會造成MOS管雪崩擊穿損壞？

②我使用的實際雪崩能量的計算公式：Vds*Ids(RMS)*t ，其中Vds取780VDC，Ids(RMS)取雪崩電流從最大值開始降到零這一段時間的均方根2.842A，t取雪崩電流從最大值降到零這一段的時間20微秒。 這樣計算一個開關周期實際消耗在MOS管上的雪崩能量對嗎？

③我在網上查詢到另外計算雪崩能量的公式：0.5*Lm*Ipk^2，其中Lm是與MOS管串聯的電感的感量，Ipk是雪崩開始時流過MOS管漏源級的電流峰值。 這個網上查到的公式，只適用于MOS管生產廠家測試MOS管的雪崩能量呢

，還是可以用在我這個雷擊浪涌測試時計算實際消耗在MOS管上的雪崩能量呢？

請各位指點解惑。