串聯(lián)LLC諧振，另外一個(gè)L在副邊，這個(gè)結(jié)構(gòu)不錯(cuò)的，基本不會(huì)有容性狀態(tài)

謝謝回復(fù)，請(qǐng)問(wèn)原邊吸收電路發(fā)熱厲害如何解決

這肯定發(fā)熱啊，電阻R承受全部熱量，RC在這里，電阻除了消耗能量，沒(méi) 有任何意義。

除了發(fā)熱，吸收不了任何東西。不應(yīng)該放在這個(gè)位置。

吸收電容是用來(lái)保護(hù)IGBT的

那有沒(méi)有什么辦法減小發(fā)熱呢？還有就是驅(qū)動(dòng)這個(gè)全橋的PWM頻率是固定的，好像不是串聯(lián)LLC諧振

這個(gè)電容直接跨接在IGBT的CE端，不能用電阻，電容是吸收過(guò)沖電壓保護(hù)IGBT的，加電阻后就沒(méi)意義了，而且會(huì)發(fā)熱。

有時(shí)候，在IGBT兩端加吸收電容會(huì)引起IGBT發(fā)熱，這說(shuō)明有超前的電流成份，不過(guò)這個(gè)發(fā)熱是控制計(jì)算失誤引起的，就是設(shè)計(jì)時(shí)沒(méi)有對(duì)電流超前的措施，只能靠IGBT硬扛，這時(shí)候，發(fā)熱的現(xiàn)象實(shí)際上降低了IGBT炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)。

這種情況解決，要從改善柘樸結(jié)構(gòu)，改善控制策略入手，不過(guò)這是一個(gè)非常大的技術(shù)框架，不是那么容易解決的

這個(gè)好像不是LLC串聯(lián)諧振，用的是NMOS不是IGBT，而且吸收電路也不是加在MOS的SD兩端的

這個(gè)是全橋電路

RC是不是用的小了點(diǎn)，我們一般是R在100歐以上，C在1nF

這是一個(gè)硬開(kāi)關(guān)全橋變換器，RC吸收電路R發(fā)熱，排除變壓器漏感過(guò)大的情況下，要考慮RC選值是否恰當(dāng)，一般R用20--47歐姆，3-10W，C用102--222J，（1nf-2.2nf），耐壓630V--1200V。C用的容量過(guò)大很容易引起R發(fā)熱。