InnoSwitch3-EP IC使用FluxLink反饋鏈路，可為次級側(cè)控制提供高達(dá)5000VRMS的加強(qiáng)絕緣。

電路設(shè)計可以省去光耦器件，采用創(chuàng)新性的FluxLink技術(shù)，提升質(zhì)量。

PI高度集成的離線反激式開關(guān)IC中采用PowiGaN開關(guān)替代初級側(cè)的傳統(tǒng)硅晶體管

AC/DC電源分為初級側(cè)控制（PSR）和次級側(cè)控制（SSR）兩種結(jié)構(gòu)，它們各有利弊：前者結(jié)構(gòu)簡單、具有BOM成本優(yōu)勢

輸出紋波如何，諧波含量咋樣

FluxLink技術(shù)可直接檢測輸出電壓，其優(yōu)勢在于可提供高精度的控制以及極其快速的動態(tài)響應(yīng)特性。

但是性能欠佳，需要后級穩(wěn)壓來提高精度，后者性能高，但是需要光耦等器件，會增加系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。

省去光耦器的創(chuàng)新性的FluxLink技術(shù)，具有極高可靠性，外形緊湊且高效

在這個電源方案中，有沒有考慮到過電流保護(hù)的問題？如果電流超過了閾值，會對電源產(chǎn)生什么影響？

這東西積熱怎么樣，

能過得了認(rèn)證嗎？（CE／VDE）？

采用獨(dú)特的FluxLink技術(shù)，省去了SSR中光耦等器件，無需后級穩(wěn)壓電路，可實(shí)現(xiàn)高效率

INN3672C電源芯片做成的18w方案，輸入電壓范圍寬，其滿載時效率很高，空載功耗非常低。

鏈路的最低DC偏置要求可以使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)低于10 mW的空載功耗

PI搞一個18W的電路可以很優(yōu)秀

PowiGaN型號的器件也非常可靠耐用，即使在持續(xù)時間較長的輸入浪涌期間也能保護(hù)系統(tǒng)免受電壓尖峰的影響，并在浪涌結(jié)束后快速恢復(fù)，而且也可以大大提高電源的功率密度。

芯片內(nèi)部集成了輸入過壓及欠壓保護(hù)、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷等多項(xiàng)保護(hù)特性。

在PI產(chǎn)品系列中，功率開關(guān)IC主要采用Si、GaN及SiC。900V耐壓的GaN與900V耐壓的硅器件相比效率更高，功率更大。

PI的該技術(shù)可以省掉了光耦元件，提高了產(chǎn)品的質(zhì)量，縮小了體積，效率也更高。

采用了集成通訊鏈路FluxLink，能夠?qū)Υ渭墏?cè)同步整流MOSFET進(jìn)行精確控制以及對初級側(cè)集成高壓MOSFET進(jìn)行準(zhǔn)諧振開關(guān)

同步整流旨在通過用低導(dǎo)通電阻的MOSFET代替常規(guī)的肖特基二極管進(jìn)行整流來減小損耗,提升能效。

如果同步整流器死區(qū)時間受到布局和已降低噪聲的影響，檢測RDSON電壓的方法可以使得變化最小。

死區(qū)時間的存在是為了防止同時導(dǎo)通造成的短路和損壞功率開關(guān)器件。

合理設(shè)置死區(qū)時間可以提高同步整流器的工作效率和穩(wěn)定性。

如果死區(qū)時間設(shè)置不當(dāng),會導(dǎo)致功率開關(guān)器件在切換過程中出現(xiàn)過大的電流沖擊和電壓跳躍,從而增加功率損耗、降低轉(zhuǎn)換效率,甚至損壞功率開關(guān)器件。

電壓跳躍,從而增加功率損耗、降低轉(zhuǎn)換效率,甚至損壞功率開關(guān)器件。