芯片內置18V/0.2?功率MOSFET，它的PWM控制電路可提高電源系統效率，內部補償網絡可以優化外部最多9個組件。芯片內部誤差放大器反相輸入連接到0.635V參考電壓做比較，滿足±4%精度的輸出電壓。芯片內部集成了軟啟動功能可以降低輸入的浪涌電流。芯片可通過EN腳實現低待機關機功能，當EN腳接VIN的時候，系統正常工作，當EN腳位被拉低，系統關機，此時流入芯片內部的電流小于0.1uA，進入低功耗待機模式。H6392采用ESOP-8封裝，可為產品應用加強散熱裝置。