TOP258芯片集成了高壓開關電流源,多模式PWM控制,振蕩器,熱關斷電路等保護功能。

不同的封裝設計滿足不同功率等級的應用需求，同時散熱工藝也有差別。

eSIP封裝的占位面積更小，所用的電路板面積也更小。

TOPSwitch-HX產品系列可以設計6.5W到333W的功率范圍，只需要少量的外部元件。

eSIP封裝同TO-220封裝具有同樣低的熱阻抗，但eSIP封裝在PCB上的裝配高度很低。

采用多模式控制機制，可以在不同的開關模式之間平滑切換，能在任何負載模式下實現最優效率。

高頻率設計還可以減少輸出紋波，從而減小所需輸出電容的大小和數量，從而進一步降低輸出級成本。

TOP258脈寬調制 (PWM) 控制系統的全部功能集成到三端芯片中,內含脈寬調制器、功率開關場效應管 (MOSFET)。

TOP258的D為內部MOS管的漏極,也是芯片功率電路輸入端,一般經過變壓器初級繞組

PI芯片的這個封裝畢竟獨特，散熱片好處理。

頻率抖動和經過優化的開關技術被用來降低輻射EMI和傳導EMI。

TOP258電源采用132 kHz的工作頻率，降低了變壓器及電源的尺寸

該系列的產品P、G或M封裝無需使用散熱片最大輸出功率可達35 W，230 VAC時最大輸出功率達48 W

TOPSwitch的拓撲電路將高壓功率MOS-FET、脈寬調制(PWM)控制器、故障自動保護和其它控制電路集成，工作頻率提高到132 kHz。

由于可以選擇外部降低流限，在需要更高效率或散熱條件很差的低功率應用中，可以選用較大的TOPSwitch器件。

單級PFC目前只能提供較小的功率和較差的輸出穩定度，以及較低的成本和尚可的可靠性

欠壓鎖定可防止電源在低壓下出現過熱情況，并可消除在通電和斷電時的電壓擾動，比較實用

欠壓鎖定可以保護開關電源，防止在輸入低壓時，電源工作于某些極端情況下而損壞。

這種封裝簡單的夾片提供了采用將器件與散熱片固定在一起的低成本方法。

附在eSIP封裝上的散熱片位于器件的源極，不需要絕緣墊片，因此不會干擾信號。

開關斷開后，漏感能量不會傳遞到次級，而是在變壓器初級繞組和開關之間產生高壓尖峰。

還會在斷開的開關和初級繞組的等效電容與變壓器的漏感之間，產生高頻振鈴

對于輸出功率在約2W以上的電源來說，可以使用鉗位電路來安全耗散漏感能量，達到控制MOSFET電壓尖峰的目的。

反饋引腳接收來自初級反饋偏置繞組的信號或通過光耦器接收信號

提高變壓器的匝數比，可以降低次級電壓從而降低整流器二極管的功耗和成本。

為了放置在低壓下出現過熱情況可以及時進行欠壓鎖定

最關鍵的問題是變壓器的設計，即如何求得一個最佳電感值的變壓器，使TOPSwitch得到充分利用

R3增大的程度受光耦器晶體管耐壓及功耗額定限制，在設計最終定案前要進行完整的測試

反壓尖峰發生時刻與原邊尖峰電壓發生時刻無關，與二極管續流結束時刻無關

在采用初級反饋結構中，分路穩壓器很低的輸出阻抗ZC決定了誤差放大器的增益