相對于第一代硅基半導體，氮化鎵半導體具有禁帶寬度大，電導率高、熱導率高。

同時氮化鎵半導體具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。

氮化鎵技術的特點及優勢，帶來的應用環境更廣，性能穩定可靠。

使用氮化鎵能讓充電器在體積做小的同時，內部設置多口輸出的降壓電路，而不增加整體體積。

氮化鎵優勢具有高耐壓、高速開關、低導通電阻、高效率的特性，可以支持更高的開關頻率。

氮化鎵技術會使Ciss值減小，顯著減小初級控制器或外掛驅動器的功耗。

進而可以降低驅動器的溫升，提高穩定性并提高效率。相比硅MOS10V的驅動電壓降低，也降低了驅動器的驅動難度。

對應的GaN的柵極是通過摻雜的GaN消耗，使得電子溝道關斷。因此GaN耐壓能力，驅動電壓都比MOS管低。

GaN具有更寬的帶隙和電子遷移率，其開關速度更快，具有更高的效率和功率密度.

氮化鎵技術設計的產品帶來系統的優勢是易散熱、體積小、功耗低、功率大。

氮化鎵設計的開關可以支持在300攝氏度以上的環境使用，耐高溫。

GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度。

氮化鎵技術設計開發的優勢，工藝先進，產品的性能出色，下一代半導體技術發展的方向。

氮化鎵的開關耐壓很高，同時支持更高的工作頻率，利于產品體積縮小。

集成氮化鎵技術的芯片比獨立氮化鎵器件具有更小的體積，更高的開關速度，更低功耗及更高的效率，高頻率低損耗的優勢

頻率一高，就得上固態電容。

普通高頻低阻的電解對100K以上的頻率還是不夠給力，在小批量測試中，老化的時候都會有鼓包的。

我也覺得集成氮化鎵技術未來會是一種趨勢

PI的功率器件就是做得好！！

氮化鎵器件可真的是未來的發展趨勢啊

擁有準諧振反激QR架構以及有源鉗位ACF架構

PI集成氮化鎵技術以后的主流技術啊

目前氮化鎵器件是主流方案了，特別是在PD快充行業

沒有反向恢復時間

PI集成氮化鎵技術的芯片與獨立氮化鎵器件的優勢相當明顯，尤其用于45W及以上的快充電源產品中，小體積、低發熱等優勢極為明顯，獲得了消費者高度認可。

集成氮化鎵技術的芯片比獨立氮化鎵器件具有更小的體積，更高的開關速度，更低功耗及更高的效率，高頻率低損耗的優勢

但是價格會相對較高呀，如果不是追求絕對的效率，這個差價可能不是可以接受的。

學習的基本知識，對于實際應用的設計心得不知道你有沒有啊

基礎物理了不起，新材料

氮化鎵開關管的驅動電路通普通 MOS 管還是不同，設計中還是要熟悉器件特性

反饋引腳直接連接到分壓器網絡，以實現快速瞬態負載響應