PI的獨特封裝給輸出大功率電源提供了很好的支撐，過流能力大，散熱熱阻小。

氮化鎵開發的芯片雖然成本貴點， 但整個效率質量提升不少，對于高附加值高可靠性的產品來說是值得的。

PI的芯片能實現并聯的均流工作，是因為可以很方便的通過I2C總線讀取每個電源的輸出電流大小，進而實現。均流控制。

除了常規的氮化鎵功率芯片之外，PI還可根據客戶的需求定制料號.

隨著各大手機和筆電廠商相繼入局，氮化鎵快充已經逐漸成為一種行業趨勢。

氮化鎵技術走集成化的路線，簡單、高效、高可靠性。把MOSFET和控制器以及一些外圍器件集成在一起，簡化客戶的設計和生產。

GaN作為第三代半導體材料，與傳統主流的硅材料相比，禁帶寬度大、導熱率高。

GaN器件能夠承載更高的能量密度，承受更高的溫度，支持的頻率更高。

由于電子飽和速度快，具有較高的載流子遷移率，GaN器件開關速度更快。

而且GaN器件導通電阻小，能效更高，但是成本更高，在驅動上更復雜些。

GaN應用場合很廣得，可應用于開關電源，功率因數校正，電機驅動，逆變器，UPS等場合。

GaN技術用以提升轉換效率及小體積的散熱性能。轉換效率的提升，可以提高功率密度，減小體積。

除了在快充上的應用以外，以上氮化鎵功率器件還可以應用在相同功率段的智能家電，LED照明，小型工業設備電源等領域。

氮化鎵晶體管是一種寬帶隙器件，與傳統硅晶體管相比，在相同的導通電阻條 件 下 ，可 實 現 更 小尺寸及更低電容。

提高轉換效率的同時，提升電源的功率密度，就是成本相對來說比較高。

電容及電感影響開關速度，沒有反向恢復（QRR）在高頻時也可減少損耗。

降低器件的散熱需求，使充電器具備更大的輸出功率，更多的輸出接口，氮化鎵功率器件的推出，首先應用在快充充電器上。

GaN充電器可以使用較小的變壓器和較小的機械散熱器，因此整體重量可減少15-30％

氮化鎵有易驅動，無反向恢復的優勢，非常適合于硬開關應用

其實用購買氮化鎵的錢，完全可以用MOS懟出來同樣的結果。

優勢是可以隨處買到零件。

GaN充電器可以使用較小的變壓器和較小的機械散熱器，因此整體重量可減少15-30％。

這是花大錢了，就是貴

功率密度越做越大，對于器件的要求也越來越高

成本確實是個問題

使同功率充電器的體積只有原來的一半大小，同時效率也得到同步的提升，降低充電器的散熱需求。這意味著在相同尺寸和相同輸出功率的情況下，充電器外殼溫度將比傳統充電器更低

氮化鎵有易驅動，無反向恢復的優勢，非常適合于硬開關應用。通過應用氮化鎵器件到充電器中，消除了體二極管的電容充放電損耗，提高了電源轉換效率

GaN的價格有點高，GaN的產品也相對高，如果第一點的話會更容易擴大市場

GaN的開關IC氮化鎵還是比較有優勢的，性價比是很高的

氮化鎵場效應晶體管及集成電路的開關性能可實現更高功率密度、更高頻率、更高開關精確度、更高總線電壓及更少電壓過沖。厲害

氮化鎵類電源器件最大的優勢是工作效率比傳統器件更高，所以在相同功率下，熱耗低，發熱小，可以進而取消散熱片