
IRF3205單邊發熱
現在新做個板帶300W發現單邊場管發熱,同樣的元件,實驗時帶300W兩邊都不燙,實驗時用6對管,現在用2對管,想用IGBT輸出,只是實驗.

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@有一
最后,問題解決了,原來IRF3205控制極不能并在一起,每只管的控制極要獨立串一電阻,這樣才不單邊發熱.還有我的IGBT輸出成功,這樣比起可控硅輸出節能.因為不浪費能量在關斷電感上.不過沒有了脈沖尖峰.但效果還是不錯.帶感性負載時輸出端要并個高耐壓小容量的電容,防止串入自感電壓擊穿IGBT,最后IGBT控制電壓一定要穩定.不要超壓.
呵呵!本來MOS的柵極串聯電阻是為了防止多管并聯應用時參數不一致導致部分管發熱及燒毀,你倒好--共電阻.對你的IGBT后級很有興趣,不仿發上來我們看看?和你一樣對可控硅有很深的偏見,---即不能發揮前級效率,關斷電路消耗也大.
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@11455355
呵呵!本來MOS的柵極串聯電阻是為了防止多管并聯應用時參數不一致導致部分管發熱及燒毀,你倒好--共電阻.對你的IGBT后級很有興趣,不仿發上來我們看看?和你一樣對可控硅有很深的偏見,---即不能發揮前級效率,關斷電路消耗也大.
上面的就是原理圖,圖中IGBT的驅動電路有點問題,驅動部分元件的功率要加大,不要用9013,9013的集電極電阻要調大些,要按照你的輸出電壓的高低相應計算出驅動電路的功率,防止燒毀驅動部分.一旦驅動部分燒毀,IGBT很可能會燒掉,所以做IGBT輸出的一定要搞好驅動部分,包括它的驅動電壓一定要穩住.我這電路驅動電壓穩住在18V.輸出帶300W過了幾分鐘時IGBT只是微熱.
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@有一
最后,問題解決了,原來IRF3205控制極不能并在一起,每只管的控制極要獨立串一電阻,這樣才不單邊發熱.還有我的IGBT輸出成功,這樣比起可控硅輸出節能.因為不浪費能量在關斷電感上.不過沒有了脈沖尖峰.但效果還是不錯.帶感性負載時輸出端要并個高耐壓小容量的電容,防止串入自感電壓擊穿IGBT,最后IGBT控制電壓一定要穩定.不要超壓.
有一 xiong,請問你G極驅動怎么做的,就是穩壓怎么做的,能否把圖發上來看看,我的是這樣子的, 3559991258683596.pdf
irf3205上電吱吱叫,然后很燙,然后壞掉啊
irf3205上電吱吱叫,然后很燙,然后壞掉啊
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