環(huán)境溫度?
radio tube倒是如魚得水.
我依稀記得好像小日本研究過金剛石基底的IC是這么高溫度的,問題是這個溫度很敏感啊,哪有可能在市場上買到呢.
什么應(yīng)用啊?

不行就考慮用電池吧.高溫電池很多的.

搜了一下,你看看這個介紹http://icgle.net/Technic/technic/2007/5/29/Technic11605.htm
看樣子都是軍方支持研究的.
SiC的沒有這個溫度的么?

呵呵 鉆探 的   很難 滿足

我怎么打不開 這個鏈接 呢 ??

我打開很容易啊.
“
5金剛石技術(shù)

  上述各種加固技術(shù)還不能完全滿足高強(qiáng)度、大劑量輻射環(huán)境的要求,其原因仍是材料本身的問題.最近幾年,人們發(fā)現(xiàn)了金剛石材料,它具有其他電子材料無法比擬的特性,擊穿電壓高達(dá)3.5×106V/cm,飽和電子遷移率高達(dá)2.5×107cm/s,熱導(dǎo)率高達(dá)1100W/m·K,幾乎是高純銅的3倍,介電系數(shù)只有5.7,適合制作高頻、大功率、高溫和抗輻射能力強(qiáng)的微電子器件,是抗輻射加固的理想材料.

  由于金剛石材料不受熱效應(yīng)的限制,所以用金剛石材料制作集成電路不僅能實(shí)現(xiàn)高集成度,而且可在600~700℃的高溫下工作,并具有特別強(qiáng)的抗輻射能力.例如用這種材料制作的FET,可在510℃下工作,熱敏電阻可在600℃下工作,肖特基二極管可在700℃下工作.因而,金剛石材料制作的器件可以直接裝入飛機(jī)引擎和核反應(yīng)堆中進(jìn)行性能監(jiān)控,不用擔(dān)心在高溫和核輻射環(huán)境下性能惡化.由于金剛石器件能夠大量減少控制熱的系統(tǒng)或設(shè)備,所以適用于衛(wèi)星等空間電子系統(tǒng).大規(guī)模集成電路的優(yōu)質(zhì)材料的計算數(shù)據(jù)表明,金剛石材料比硅材料好32倍,微波和毫米波單片集成電路優(yōu)質(zhì)材料的計算數(shù)據(jù)表明,金剛石材料比硅材料好8200倍,比GaAs材料好1200倍.金剛石薄膜還是集成電路芯片所需的性能良好的表面鈍化膜,能大大提高芯片的可靠性和穩(wěn)定性.

  由于金剛石材料具有上述特點(diǎn),所以人們進(jìn)行了大量的研究工作.美國在過去的4年中投資1300萬美元研究金剛石材料,日本于1984年就投資2.5億日元來實(shí)施使金剛石薄膜商品化的計劃.日本專家預(yù)測2000年人造金剛石材料的市場將達(dá)到750萬美元,到21世紀(jì)初,金剛石材料將作為一種重要的半導(dǎo)體材料發(fā)揮巨大的作用,金剛石器件將成為下一代抗輻射能力最強(qiáng)的器件.
”