幫你頂

謝謝你!
我想這個問題,應該有很多人想知道答案.

我個人認為電壓98.6V也不能滿足100V的管子,因為在負載開機工作的瞬間有個沖擊電壓尖峰或電流過載時也有上升電壓可能超過100V.

這個波形,就是在空載切換到滿載,經過多次切換,示波器才觸發抓取到的!
如果是軟啟動的IC,開機瞬間,不是最大的!

自己再頂下!

不知道你用的什么品牌?
我也遇到同樣的問題,常溫和高溫工作都沒問題,但在高溫,高壓270-300V短路發現漏電流太大,相當于短路,但到了常溫電源工作正常,后來換150V/20A肖特基,高溫短路OK.

就是這三個品牌!

"如果用100MHz帶寬的示波器,最大峰值為98.6V"
這時AC輸入是幾多伏?
如果是在最高端,一般使用應該沒什么問題.

最高輸入,264Vac!

事實上,可能二極管是壞不了的!但也沒有人真正去實驗過.
不過,道理上怎么去說服別人呢?DIODES那個,四種電壓都是100V,你超過100V(300MHz帶寬測到的尖峰)使用,憑什么說壞不了.

自己再頂下!

自己再頂下!

耐壓有2-5V的佘量就可以了

有些公司的規范是:
1,>1uS,滿足80% Derating;
2,<1uS,滿足100% Derating,即不超過規格.
就是說峰值這種,不超過100V就行.跟你所說的2-5V余量很接近!

現在的問題是,他用300MHz帶寬的示波器量測,峰值會多出十幾V,你如何判定它是OK的?

請高手針對DIODES規格書上的四個規格(Vrrm,Vrwm,Vr,Vr(rms))說說差異及使用注意事項!
所有規格都調試好了,然后提這個峰值超標,確實是難以變更設計.

論壇里有沒有二極管的FAE,請幫忙回復一下!

我覺得這關系到一個示波器的頻寬問題,頻寬越高,測試所得數據越大.請教下各位:測試電路中半導體零件的電壓時是否對示波器的帶寬有限制呢?比如測試輸出漣波時都是用20M的帶寬進行測試的.

DIODE的生產廠家的測試儀器不是用示波器來測試的.

網上僅能找的解釋如下:
VR---反向工作電壓(反向直流電壓).
VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓) ...
VRRM-- -反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓).
VRWM---反向工作峰值電壓

到目前為止,沒有任何一家Diode廠商對“Vrrm,Vrwm,Vr,Vr(rms)”定義過帶寬!但是,很多客戶用1GHz帶寬的示波器在做產品驗證,說二極管反向耐壓有問題,我們不知道該如何解釋!

不知廠商是如何定義“峰值電壓”的?占空比多大?頻率多高?弦波,還是方波?

只要雪崩能量足夠大,尖峰高點是不致于損壞管子的,用300MHZ示波器測試,確實有點雞蛋里挑骨頭了,尖峰大的話,吸收可以適當加大,或者選用150V管子,這樣比較可靠.

你說的是“Non-Repetitive Avalanche Energy”么?這個能量的含義是什么?附注在后面的“TJ = 25 °C, IAS = 2 Amps, L = 12 mH”表示什么意思?

自己再頂!

肖特基 MOS管等通常有個雪崩能量,電源在瞬態情況下前者應力可能會超標,但是只要不大于雪崩能量,應該對管子沒有影響.

我只聽說MOS管有雪崩能量一說!規格書上也確實寫了.
對肖特基之雪崩能量,能否發個規格書上來看看?或者是相關的技術文章.

也 也想了解

再頂一下!

我也碰到過這樣的問題,關注中

幾個公司的參數其實不矛盾, 只是DIODES公司的數據最詳細.

肖特基管不能承受任何雪崩能量的,所以理論上反壓是一點都不能超出的.所以設計時要用電壓降額(DERATING)使用,一般按包括尖峰電壓算,在最壞情況下的電壓降額允許為80-90%.

示波器和探頭是有寄生電容的, 接上探頭測量時, 相當于并聯了一個SNUBBER電路,所以測量值比實際值要低一點, 同樣的,不同帶寬測出來的數也不一樣.

此外,客戶是上帝. 哈哈! 所以改進是必要的.

從波形看,尖峰太高了,不需要換管. 估計可以微調吸收(SNUBBER)電路參數來降低這個尖峰電壓, 也或者是PCB LAYOUT不好, SNUBBER電路回路太遠? 變壓器耦合不好?

從調整EMI節約共模電感的角度考慮,變壓器采用了非三明治繞法,漏感比較大,以致Ring部分較大.12V/1A輸出,實際圈比是128:20.這個圈比不算低啊!

最好是有理論支持,或者是二極管原廠的權威說明,否則以300MHz帶寬示波器的測試結果做判定標準,總叫人“口服心不服”!改天,又換個1GHz帶寬示波器,那該如何改善呢?