電路圖怎么復制不上去啊!
好,對于一個單端正激電路先介紹對于其變壓器的設計.紙上談兵!
INPUT:400V OUTPUT:24V ,10A
對于其變壓器無非就是:Np Ns Lp Nset＝Np:Ns
對于其變壓器尺寸一定的情況下:磁芯的大小已經確定即Ae,窗口面積Aw一定.磁芯的材料我們可以選擇,希望其Bs越高越好.
先取:fs＝80k D＝0．4 dB＝0．25Bs(稍后解釋原因)
Vin＝Np*Ae*dB/dt,推出:Np值了.
(Vin/Nset-Vo)*DTs＝Vo(1-D)Ts 推出:Nset
這樣Ns也知道了.
Vin＝Lp*di/dt,可知Lp越大,di越小.則變壓器的勵磁電流越小.
嗯,我們希望的是變壓器損耗越小越好,成本越低越好.
我們已經計算出來了,變壓器的各項參數,接下來就是其優化的過程.
變壓器為什么取80K,dB為什么取0.25Bs?
好,f和dB與鐵損成正比.我們希望它們越小越好,但是Vin＝Np*Ae*dB*f/D,f和dB越小,Np就要越大,Ns也要變大,銅損就增加.成本就增加了.那好,我們就把f變的更大吧,雖然銅損減小了,但鐵損又會增大.
因此,鐵損和銅損的選取需要折衷.
關于單端正激電路的設計
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繼續我的討論.
關于占空比D的選取,這就涉及一個問題,占空比多大的時候達到磁復位.這就也涉及到輔助去磁繞組的作用了.
去磁繞組是和主繞組已反激的方式工作的.當開關關斷的時候,去磁繞組帶黑點同名端產生高電壓,使二極管開通,于是被嵌位為輸入電壓值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,勵磁電流以這樣的斜率下降為零, 主電感必須滿足:
Vin*DTs/(Np*Ae)<=Vin*(1-D)Ts/(Ns*Ae) D推出有一個最大值的要求.可以選擇合適的D值.
關于輸出電感的設計,
Ls=(Vin/Nset-Vo)*DTs/di,而di的大小Io的大小和工作狀態決定.
根據Io就可以求出ipeak值.
關于其磁芯材料的選取.根據Vo=NAedB/(1-D)Ts,選擇合適的材料使其Bs越大越好.這樣就確定了輸出電感的匝數和電感量.為了避免飽和,要留氣隙.
關于占空比D的選取,這就涉及一個問題,占空比多大的時候達到磁復位.這就也涉及到輔助去磁繞組的作用了.
去磁繞組是和主繞組已反激的方式工作的.當開關關斷的時候,去磁繞組帶黑點同名端產生高電壓,使二極管開通,于是被嵌位為輸入電壓值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,勵磁電流以這樣的斜率下降為零, 主電感必須滿足:
Vin*DTs/(Np*Ae)<=Vin*(1-D)Ts/(Ns*Ae) D推出有一個最大值的要求.可以選擇合適的D值.
關于輸出電感的設計,
Ls=(Vin/Nset-Vo)*DTs/di,而di的大小Io的大小和工作狀態決定.
根據Io就可以求出ipeak值.
關于其磁芯材料的選取.根據Vo=NAedB/(1-D)Ts,選擇合適的材料使其Bs越大越好.這樣就確定了輸出電感的匝數和電感量.為了避免飽和,要留氣隙.
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@sunguoying
繼續我的討論.關于占空比D的選取,這就涉及一個問題,占空比多大的時候達到磁復位.這就也涉及到輔助去磁繞組的作用了.去磁繞組是和主繞組已反激的方式工作的.當開關關斷的時候,去磁繞組帶黑點同名端產生高電壓,使二極管開通,于是被嵌位為輸入電壓值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,勵磁電流以這樣的斜率下降為零,主電感必須滿足:Vin*DTs/(Np*Ae)
你的計算有點問題,糾正如下:
1、正激變壓器不需要計算感量,磁芯確定后根據
Np=(Vindcmin*Ton)/ (△B*Ae)計算變壓器就好;
2、輸出電感是作續流用的,時間應該取Toff;
3、正激變壓器一般不需要磨氣隙,磨氣隙是為了增加△B的工作范圍;
并不是為了防止磁芯飽和,反激磨氣隙才是為了防止磁芯飽和.
1、正激變壓器不需要計算感量,磁芯確定后根據
Np=(Vindcmin*Ton)/ (△B*Ae)計算變壓器就好;
2、輸出電感是作續流用的,時間應該取Toff;
3、正激變壓器一般不需要磨氣隙,磨氣隙是為了增加△B的工作范圍;
并不是為了防止磁芯飽和,反激磨氣隙才是為了防止磁芯飽和.
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@sunguoying
繼續我的討論.關于占空比D的選取,這就涉及一個問題,占空比多大的時候達到磁復位.這就也涉及到輔助去磁繞組的作用了.去磁繞組是和主繞組已反激的方式工作的.當開關關斷的時候,去磁繞組帶黑點同名端產生高電壓,使二極管開通,于是被嵌位為輸入電壓值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,勵磁電流以這樣的斜率下降為零,主電感必須滿足:Vin*DTs/(Np*Ae)
好,接下來,介紹一下幾個重要元器件的損耗分析:
1.原邊MOS管.
由于原邊MOS管走的是勵磁電流非常小,求出其勵磁電流的有效值Irms后,Pcond=Irms^2*Rdson,接著求出其開通損耗,關斷損耗.求出MOS管的總損耗.
2.輸出整流二極管的損耗.
Ploss=Io*Vf
3.變壓器的損耗
鐵損:按照經驗公式計算.
銅損:原邊的銅損和副邊的銅損
原邊的銅損: Ploss=Irms-primary^2*Rloss*K,
Ploss-second=Irms^2*Rloss*k (k為肌膚效應系數)
1.原邊MOS管.
由于原邊MOS管走的是勵磁電流非常小,求出其勵磁電流的有效值Irms后,Pcond=Irms^2*Rdson,接著求出其開通損耗,關斷損耗.求出MOS管的總損耗.
2.輸出整流二極管的損耗.
Ploss=Io*Vf
3.變壓器的損耗
鐵損:按照經驗公式計算.
銅損:原邊的銅損和副邊的銅損
原邊的銅損: Ploss=Irms-primary^2*Rloss*K,
Ploss-second=Irms^2*Rloss*k (k為肌膚效應系數)
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@sunguoying
好,接下來,介紹一下幾個重要元器件的損耗分析:1.原邊MOS管.由于原邊MOS管走的是勵磁電流非常小,求出其勵磁電流的有效值Irms后,Pcond=Irms^2*Rdson,接著求出其開通損耗,關斷損耗.求出MOS管的總損耗.2.輸出整流二極管的損耗.Ploss=Io*Vf3.變壓器的損耗鐵損:按照經驗公式計算.銅損:原邊的銅損和副邊的銅損原邊的銅損:Ploss=Irms-primary^2*Rloss*K, Ploss-second=Irms^2*Rloss*k (k為肌膚效應系數)
MOS的電流應該取峰值電流,至于損耗P=開通損耗+開關損耗+交流損耗;交流損耗一般可以不計,因為高頻下此值很小;變壓器及銅損去算太麻煩,沒這個必要去算!實驗時把溫升控制好就行了!這個需要根據經驗來定了.
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@anjlin
你的計算有點問題,糾正如下:1、正激變壓器不需要計算感量,磁芯確定后根據 Np=(Vindcmin*Ton)/(△B*Ae)計算變壓器就好;2、輸出電感是作續流用的,時間應該取Toff;3、正激變壓器一般不需要磨氣隙,磨氣隙是為了增加△B的工作范圍; 并不是為了防止磁芯飽和,反激磨氣隙才是為了防止磁芯飽和.
1,對于后面計算勵磁電流的時候,我需要用到Lp計算勵磁電流,從而計算損耗,因此我必須要知道我所設計的變壓器的保證的主電感的大小.
2.輸出電感我需要算出它的電感量,因此需要一個公式才能求出.這必然涉及到輸出電感的伏秒平衡.
3.正激變壓器是不需要磨氣隙,我是說其輸出電感需要加上氣隙,哦,不好意思,也可能不需要,可能大部分都不需要,不好意思,這個有誤.糾正一下.你說的對.
2.輸出電感我需要算出它的電感量,因此需要一個公式才能求出.這必然涉及到輸出電感的伏秒平衡.
3.正激變壓器是不需要磨氣隙,我是說其輸出電感需要加上氣隙,哦,不好意思,也可能不需要,可能大部分都不需要,不好意思,這個有誤.糾正一下.你說的對.
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