5v驅動電壓太低了，MOS沒飽和導通，建議12v。另外，R15阻值偏大，關斷速度偏慢。

關斷是由下拉電阻R15和Q3組成的倒向電路完成，這樣關斷速度可以保障。只是驅動電壓太低，僅僅5V，MOS不能飽和導通，驅動不足處于線性放大工作狀態。驅動電壓改用12--18V。CTRL拉低，正是MOS導通狀態，導通燒管，正是驅動不足的表現。

謝謝糾正。樓主說當+48V_CTRL管腳拉低時燒MOS管，說明開通驅動電壓不夠，且速度偏慢了。

您好。這是燒壞時捕捉到的波形。驅動電壓已經改為15V，紅色是IDS，綠色是VGS，應該是啟動瞬間浪涌電流過大，將MOS燒壞。不知道可有好的方法能夠抑制這個浪涌電流？

怎么有浪涌電流，你的負載是什么？

如果是浪涌，MOS的VDS并一個雙向的TVS管就可以了

這就是電容ESR搗鬼導致的，使用ESR較大的電解電容時，ESR限制住了流經電容的最大電流，所以沖擊電流并不會太大；而ESR非常小的MLCC，在電源接通的瞬間近乎直接斷路到地，所以會出現巨大的沖擊電流。我這次算是敗給了直覺，直覺認為電容量決定了沖擊電流，而實際上ESR才主導沖擊電流的最大值，電容量更多的是決定充電的總能量（或者說電流與時間的乘積）。元兇找到了，現在的問題是如何整改，最簡單的整改方法就是給MOS管加緩啟動電路。緩啟動電路以前也沒少用，不過這次設計偷懶，直覺又覺得不會出問題，所以就沒加上去，結果翻車了。MOS管緩啟動電路的思路非常簡單，充分利用MOS管的線性區，不讓MOS管突然從截至跳到飽和就行了，也就是要給Vgs緩慢變化而不是突變，這樣MOS管在上電過程中相當于一個可變的電阻，可以溫柔地給負載電容充電而不是一口氣吃一個胖子。電容兩端電壓不能突變，所以在MOS管的柵極和源極之間跨接一個電容，柵極通過電阻或者恒流源緩慢對電容放電而不是簡單粗暴開關接短接到地，這樣就能讓Vgs緩慢變化了。