正在重新畫板，主要調(diào)整了H橋部分

柵極上直接反向并二極管，你有多少管燒你多少。

炸管是原理有問題，和基本布線無關(guān)

最多幾十KHz的頻率，布線問題除了會有異常的溫升，一般不會引起炸管

直接并二極管有多少炸多少，  是什么原理，請分析一下好不

請把原理圖貼出來。

估計是指，關(guān)段速度過快，關(guān)段di/dt過大，容易導(dǎo)致器件Vcepeak超標(biāo)

原理圖貼出來，大家可以幫你分析一下，直接看PCB的話有點辛苦。

這種基本上是柵級電阻選的不合理，上下兩管死區(qū)小，導(dǎo)致二個管子共通

并二極管為什么會炸管？我都是直接并的！

已補充原理圖在1樓，麻煩幫忙看下

怎么調(diào)整呢，比較疑惑的是前級400V位置接60V就完全沒問題

逆變那個電感離EG8010模塊很近，這個沒影響？

他用的是超結(jié)MOS，這種MOS所需的驅(qū)動電流比較小，在驅(qū)動IC能提供比較大的下拉電流的前提下柵極電阻反并二極管勢必引起很快的關(guān)斷速度，然后DS電壓就會引起很高的關(guān)斷尖峰，而且DS無法承受這個DV/DT，必炸無疑。

看什么管子，有的管子可以并，但他用的那個管不能并。

柵極電阻用到33-47歐左右，反并的二極管上再串10-15歐左右。

炸管子不在乎電壓超了或者電流超了，用示波器抓一抓波形才好分析，樓上的大神也提到了你當(dāng)前用的MOS的驅(qū)動參數(shù)不合理，你也可以換個MOS試試看

前級通電就燒驅(qū)動，或者mos管了，現(xiàn)在獨立供個60V去測試

有時燒mos，有時燒驅(qū)動eg2113。

之前一直沒關(guān)注Vds，測試到的波形推算Vds過壓。

母線電壓60V，高頻上管的gs和ds波形

那說明我瞇著眼睛都知道你是哪里的問題。

請問下你IR2110輸出為什么不用三極管圖騰擴流呢

而是使用4452這樣的芯片對接呢

看了樓主的波形，上下管貌似沒有死區(qū)時間。上下管有波形重疊情況。

試了柵極電阻用68歐左右，反并的二極管串22歐，空載ds尖峰還是很大。電阻換過好多種了，都降不下去，駕馭不了HY65R201MF這個管。

同板子換svf13n50一點尖峰都沒有，這兩個管子的ciss，Qg參數(shù)，電橋測量GS電容都比較接近。搞不懂了。

因為三極管擴流具有1V左右的殘余電壓，在高壓管VTH不夠高的情況下是致命的，但是三極管延時要小一點這個是優(yōu)點。使用MIC4452驅(qū)動能力強不說，最主要的是殘余電壓低，基本可以忽略，但是延時就略大了。

因為工藝不同器件的延遲時間也會有差異就需要匹配不同的死區(qū)時間了。我看你的死區(qū)時間也不夠，柵極電阻調(diào)大之后就更不夠了，建議你同步調(diào)大死區(qū)時間。

兄弟  你這7812供電應(yīng)該就是燒管根源了

電流不夠？

前級供電，特別是在占空比未全開時，雜波太大，進(jìn)入驅(qū)動小板，炸管是正常的

帶重載燒管子是驅(qū)動電壓低！不過IGBT12V驅(qū)動是不行的！