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INN3378C應(yīng)用于30W設(shè)計(jì)

           InnoSwitch3-pro INN3378C 應(yīng)用于40W設(shè)計(jì)，INN3378C為采用PowiGa技術(shù)，氮化鎵設(shè)計(jì)的能耗更少，產(chǎn)生的熱量減少35%，同時(shí)大大的降低線(xiàn)路的復(fù)雜度，并提升產(chǎn)品的穩(wěn)定度，同時(shí)對(duì)于輸出變壓可已10mV的精準(zhǔn)度做微調(diào)，如果要達(dá)到PPS 應(yīng)用，也是沒(méi)有問(wèn)題的。在保護(hù)方面，InnoSwitch3-pro 包含了許多保護(hù)功能，包含:精準(zhǔn)電壓?jiǎn)?dòng)/關(guān)閉和過(guò)壓保護(hù)的輸入電壓監(jiān)測(cè)器/輸出 OV/UV 故障偵測(cè)/開(kāi)路SR FET閘極偵測(cè)/磁滯過(guò)溫保護(hù)/IS引腳短路/輸出短路故障檢測(cè)，多種保護(hù)，可大幅提升產(chǎn)品的可靠與信賴(lài)度。

INN3378C設(shè)計(jì)的電源方案滿(mǎn)足技術(shù)參數(shù)：輸入電源90~265VAC，12V/2.5A或者15V/2A或者20V/1.5A輸出，支持USB TYPE-C接口，符合USP PD3.0協(xié)議，電源可以設(shè)定恒壓、恒流、恒功率輸出。設(shè)計(jì)時(shí)也可以通過(guò)I2C接口可對(duì)輸出電壓、電流進(jìn)行精確的動(dòng)態(tài)控制，以滿(mǎn)足不同設(shè)備的供電需求。

上圖為典型應(yīng)用圖，對(duì)于InnoSwitch3-pro 設(shè)計(jì)也有個(gè)大概的了解。

其中INN3378C、INN3379C和INN3370C三個(gè)型號(hào)采用PowiGaN技術(shù) ， 無(wú)需散熱片的情況下輸出功率最大100 W，而且效率很高。

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svs101
LV.8
2
2021-12-11 16:20

簡(jiǎn)化低壓大電流電源的開(kāi)發(fā)和制造，尤其是采用緊湊外殼或需要滿(mǎn)足高效率要求的電源。

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svs101
LV.8
3
2021-12-11 16:20

同時(shí)將初級(jí)和次級(jí)控制器以及檢測(cè)元件以及其他保護(hù)功能都集成在內(nèi)部了，非常厲害。

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svs101
LV.8
4
2021-12-11 16:21

創(chuàng)新地采用了集成通訊鏈路FluxLink技術(shù)，既可以實(shí)現(xiàn)隔離絕緣，又可以通信。

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xxbw6868
LV.10
5
2021-12-16 12:55

InnoSwitch3-pro可以設(shè)定恒壓、恒流、恒功率輸出，適合了大部分電源的設(shè)計(jì)。

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trllgh
LV.10
6
2021-12-16 16:43
@xxbw6868
InnoSwitch3-pro可以設(shè)定恒壓、恒流、恒功率輸出，適合了大部分電源的設(shè)計(jì)。

可以通過(guò)靈活的I2C接口可對(duì)輸出電壓、電流進(jìn)行精確的動(dòng)態(tài)控制。

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2021-12-16 16:56
@svs101
簡(jiǎn)化低壓大電流電源的開(kāi)發(fā)和制造，尤其是采用緊湊外殼或需要滿(mǎn)足高效率要求的電源。

IC的變頻技術(shù)可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)始終保持高效率，而更高的效率則意味著更低的熱量耗散。

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dbg_ux
LV.9
8
2021-12-16 17:11
@大海的兒子
IC的變頻技術(shù)可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)始終保持高效率，而更高的效率則意味著更低的熱量耗散。

為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)內(nèi)部有智能準(zhǔn)諧振模式開(kāi)關(guān)。

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kckcll
LV.9
9
2021-12-16 17:17
@trllgh
可以通過(guò)靈活的I2C接口可對(duì)輸出電壓、電流進(jìn)行精確的動(dòng)態(tài)控制。

也可以通過(guò)MCU設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源的保護(hù)功能，比較人性化。

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xxbw6868
LV.10
10
2021-12-17 12:45
@dbg_ux
為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)內(nèi)部有智能準(zhǔn)諧振模式開(kāi)關(guān)。

InnoSwitch3-Pro可在初級(jí)開(kāi)關(guān)的電壓接近其最小電壓時(shí)強(qiáng)制進(jìn)行開(kāi)關(guān)，變換器在非連續(xù)導(dǎo)通模式下工作。

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dbg_ux
LV.9
11
2021-12-17 16:25
@kckcll
也可以通過(guò)MCU設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源的保護(hù)功能，比較人性化。

電壓階躍步長(zhǎng)為10mV，電流階躍步長(zhǎng)為50mA，實(shí)現(xiàn)數(shù)字可編程的功率變換。

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kckcll
LV.9
12
2021-12-17 16:48
@xxbw6868
InnoSwitch3-Pro可在初級(jí)開(kāi)關(guān)的電壓接近其最小電壓時(shí)強(qiáng)制進(jìn)行開(kāi)關(guān)，變換器在非連續(xù)導(dǎo)通模式下工作。

 在DCM模式下準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)自行工作，而在變換器進(jìn)入CCM時(shí)準(zhǔn)諧振工作會(huì)自行停止。

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trllgh
LV.10
13
2021-12-17 16:58
@dbg_ux
電壓階躍步長(zhǎng)為10mV，電流階躍步長(zhǎng)為50mA，實(shí)現(xiàn)數(shù)字可編程的功率變換。

很多參數(shù)可以通過(guò)軟件來(lái)調(diào)整設(shè)計(jì)也是這個(gè)IC的一大特點(diǎn)，電源也更智能化。

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2021-12-17 17:27
@kckcll
 在DCM模式下準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)自行工作，而在變換器進(jìn)入CCM時(shí)準(zhǔn)諧振工作會(huì)自行停止。

如果輸出功率大，又要體積小，可以選擇具有PowiGaN技術(shù)的型號(hào)。

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dbg_ux
LV.9
15
2021-12-18 12:45
@trllgh
很多參數(shù)可以通過(guò)軟件來(lái)調(diào)整設(shè)計(jì)也是這個(gè)IC的一大特點(diǎn)，電源也更智能化。

這個(gè)帶來(lái)的好處是支持USBPD3.0子集中的PPS，可以更精確的控制輸出的電壓檔位。

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kckcll
LV.9
16
2021-12-18 12:48
@大海的兒子
如果輸出功率大，又要體積小，可以選擇具有PowiGaN技術(shù)的型號(hào)。

用PowiGaN技術(shù)的IC損耗小，不用散熱片可以輸出100W的功率。

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驅(qū)動(dòng)器在設(shè)計(jì)上有什么需要注意的？其中驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)上效率有多高？

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2021-12-27 23:06

INN3378C為采用PowiGa技術(shù)，這個(gè)技術(shù)在大功率應(yīng)用時(shí)作用很大？

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XHH9062
LV.9
19
2021-12-28 15:12

系列比較全，選型方便

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2022-01-24 14:08

INN3378C為采用PowiGa技術(shù)和其他電源的控制方式相比有啥優(yōu)勢(shì)？

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cmdz002
LV.5
21
2022-02-21 08:38

INN3378C為采用PowiGa技術(shù)，能耗少，熱量減少35%，降低線(xiàn)路的復(fù)雜度，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定度

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dy-mb2U9pBf
LV.8
22
2023-03-24 12:49

像這樣有典型電路的例子，還有手冊(cè)的截圖看的比較明白，最好附上數(shù)據(jù)手冊(cè)。

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2023-03-24 15:52

PI的innoswitch已經(jīng)在氮化鎵領(lǐng)域相當(dāng)成熟了

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SClZn
LV.2
24
2023-03-24 18:11

好東西就是貴

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tmpeger
LV.10
25
2023-08-15 22:47
@kckcll
 在DCM模式下準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)自行工作，而在變換器進(jìn)入CCM時(shí)準(zhǔn)諧振工作會(huì)自行停止。

當(dāng)反饋引腳電壓在滿(mǎn)載條件下降低到1.70 V以下時(shí)， 振蕩器頻率開(kāi)始線(xiàn)性下降

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黑夜公爵
LV.10
26
2023-11-20 20:48

固定的MOSFET開(kāi)關(guān)頻率會(huì)在每個(gè)周期造成固定的開(kāi)關(guān)損耗，在輕載條件下也是如此

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opingss88
LV.10
27
2023-11-20 20:51

先進(jìn)的功率封裝技術(shù)和高效率可以簡(jiǎn)化IC安裝及熱管理的難度，緊湊封裝提供極高的功率能力

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ehi763
LV.6
28
2023-12-06 13:28
@黑夜公爵
固定的MOSFET開(kāi)關(guān)頻率會(huì)在每個(gè)周期造成固定的開(kāi)關(guān)損耗，在輕載條件下也是如此

開(kāi)關(guān)過(guò)程中,穿越線(xiàn)性區(qū)(放大區(qū))時(shí),電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開(kāi)關(guān)損耗。其中,米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間,在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。

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方笑塵MK
LV.8
29
2023-12-06 21:01

這個(gè)系列的產(chǎn)品規(guī)格很多啊，方便不同場(chǎng)景選用

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xxbw6868
LV.10
30
2024-10-05 22:31
@黑夜公爵
固定的MOSFET開(kāi)關(guān)頻率會(huì)在每個(gè)周期造成固定的開(kāi)關(guān)損耗，在輕載條件下也是如此

由于開(kāi)通損耗是存在于每個(gè)周期的,所以隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高,開(kāi)通損耗線(xiàn)性增長(zhǎng)。

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opingss88
LV.10
31
2024-12-10 22:10

啟動(dòng)時(shí)，整流后的直流高壓加在漏極引腳上，MOSFET起初處于關(guān)斷狀態(tài)

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