為了提高效率，電路中還必須選擇具有較低傳導損耗的有源器件。

IC內(nèi)部集成準諧振反激控制器和集成的主開關(guān)管，同步整流控制器和內(nèi)置反饋，以及恒功率輸出。

GaN的切換開關(guān)取代了傳統(tǒng)硅高壓電晶體，減少了電流流過時的導通損耗。

對于充電器來說，充電器的待機功耗比較重要，40mW可以說比較低了。

電源在自供電模式中啟動，會從旁路引腳電容通過內(nèi)部電流源充電吸收能量。

同時并大大降低了運作期間的切換損失，減少電源能源的浪費。

較高的Vor允許在最低電壓時獲得更高的輸出功率，這會降低輸入電容值并增大給定PowiGaN器件的輸出功率能力。

使用 InSOP-24D封裝，可以設(shè)計出更薄，相同體積下輸出更大功率的電源。

GaN 是一項關(guān)鍵技術(shù)，與硅相比具有顯著的效率和尺寸優(yōu)勢。

設(shè)計中輸出電壓高于15 V時，應提高VOR，使輸出同步整流管的反向峰值電壓維持在可接受的水平。

變壓器上的輔助繞組也可以向初級旁路引腳提供供電電流。

INN3270C采用PowiGaN技術(shù)，最大輸出功率100W,基本可以滿足大多的充電器功率要求。

使用偏置繞組向初級旁路引腳供電后，可實現(xiàn)空載功耗低于15 mW的電源。

在恒流操作期間，當輸出電壓下降時，芯片內(nèi)的次級側(cè)控制器將直接從次級側(cè)繞組進行供電。

集成度高效率也需要提高，可以減小發(fā)熱量，相信這款適配器的效率應該能達到92%左右了。

GaN"切換開關(guān)減少了電流流過時的導通損耗，并大大降低了運作期間的切換損失。

同時該技術(shù)可以提高節(jié)省空間的 InSOP-24D 封裝的效率和功率輸送。

這個電源方案的綜合性能挺好的，各方面都有兼顧，值得借鑒與學習

InnoSwitch3-CP系列自行研發(fā)的氮化鎵（GaN）技術(shù)。基于PowiGaN的IC在整個負載范圍內(nèi)的效率高達95％，在封閉式適配器不需散熱片就可實現(xiàn)高達100W輸出功率。

InnoSwitch3-CP采用變頻準諧振控制器并支持CCM/CrM/DCM工作，可提高效率和擴大輸出功率能力。

45W的充電器最大轉(zhuǎn)換效率多大？

這款具有多種保護，線電壓過壓和欠壓保護、輸出過壓和過電流限制，以及過溫關(guān)機.可滿足多種應用的要求

提高開關(guān)頻率，減小磁性元件的體積和重量是提高變換器功率密度的有效措施

原邊控制的基本原理是通過精確采樣輔助繞組的電壓水平來反映負載的變化信息

如果直接靠高壓啟動提供PWM芯片供電損耗大,效率低,所以要加偏置繞組 

在接近交流峰值電壓處僅在很短的時間內(nèi)才有輸入電流流經(jīng)橋式整流電路

理論上正激可以不用開氣息，可是實際應用上時很難做到一點氣息都沒有的

適當?shù)拈_氣息是考慮在負載不能完全釋能的時候，可以幫助消除殘余磁能。

加氣隙可降低剩磁，增大磁振幅，利于減小匝數(shù)，降低銅損，但加了氣隙，勵磁電流會加大，開關(guān)管處理的能量，通過消磁電路返回電源的能量比例較大，對提升效率不利

信號傳輸對端口有什么特殊要求