LYTSwitch-5系列屬于拓?fù)渲辛⑿推骷С值耐負(fù)浣Y(jié)構(gòu)非常多，在降壓式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電路中，只需20多個(gè)外圍元件電路。

LYTSwitch-5提供650 V和725 V 的MOS管耐壓選項(xiàng)，可根據(jù)不同產(chǎn)品類型和要求來選擇不同的耐壓值。

降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用的輸入電容容量很小，可進(jìn)一步降低THD及改善PF。

支持降壓、降壓-升壓、抽頭降壓、升壓和隔離或非隔離反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

主要是用于優(yōu)化設(shè)計(jì)成本，選擇725 V的耐壓在通用輸入AC應(yīng)用中比較大的電壓裕量，優(yōu)化電源的抗浪涌性能

同時(shí)能夠在不同輸入電壓、負(fù)載、生產(chǎn)條件、溫度和多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下提供90%以上的效率。

原理就是當(dāng)MOS處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，非連續(xù)導(dǎo)通模式工作實(shí)質(zhì)上消除了輸出二極管上出現(xiàn)反向電流的可能，降低了高頻率噪聲

輔助供電需要始終工作，才能保證微處理器的正常工作。

電壓和電流均在次級側(cè)進(jìn)行控制，做到恒壓恒流精度達(dá)±3%

在隔離反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電路中，僅需20多個(gè)外圍元件，可以說外圍器件非常的少。

LYT5216的內(nèi)部反饋控制器能夠進(jìn)行輸出電流感測，能夠省去光耦過程，也適用于隔離式設(shè)計(jì)。

這樣允許使用更簡單、更小的EMI過濾器，同時(shí)還可提高效率。

選擇625 V MOSFET的產(chǎn)品，主要是在MOSFET電壓應(yīng)力較低的應(yīng)用可以降低成本。

再搭配PI的設(shè)計(jì)軟件軟件Expert Suite，該軟件提供了詳細(xì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，縮短了開發(fā)時(shí)間。

同時(shí)功率因數(shù)也可以做到0.96以上、低于5%的THD以及+/-3%的電流調(diào)整精度，參數(shù)性能還是很好的。

采用了集成通訊鏈路FluxLink，體積比較小。

集成了多模式準(zhǔn)諧振(QR)/CCM反激式控制器、高壓開關(guān)、次級側(cè)控制和同步整流驅(qū)動器

恒壓/恒流精度不受變壓器設(shè)計(jì)或外圍元件的影響

PI自行研發(fā)的氮化鎵技術(shù)，高達(dá)110 W輸出，無需散熱片

但是設(shè)計(jì)時(shí)如果將濾波電容值減小，其結(jié)果有可能是橋式整流器的 導(dǎo)通角增加，PF 增大。

使電 源變換器的功率管等損耗劇增，很容易損壞功率管、高頻變壓器、高頻輸出整流管元件。

YTSwitch系列高集成度LED驅(qū)動器IC與分立式解決方案相比，元件數(shù)目可減少很多，且調(diào)試簡單。

采用LYTSwitch IC的LED驅(qū)動器與同類電源相比更小、更輕且兼容性更高。

無論是采用隔離式還是非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，LYTSwitch器件都能提供比較低的THD。

準(zhǔn)諧振芯片還是對效率有一定的幫助的。一般提高在1個(gè)百分點(diǎn)左右的效率。

準(zhǔn)諧振芯片能讓電源運(yùn)行在130KHZ左右的工作頻率，而一般芯片多數(shù)都只能運(yùn)行在60KHZ左右。

相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，氮化鎵能夠提供更大功率輸出的應(yīng)用。

意味著變壓器的尺寸接近能縮小1半，對電源小型化還是挺有幫助的

準(zhǔn)諧振開通損耗，比較小，一般就只剩下關(guān)斷損耗了。。。。

如果做成非隔離輸出，當(dāng)然可以用電阻分壓，如果是隔離輸出就要用光耦。