怎么沒有人頂啊?小弟等著你的回復呢

詳細說明的資料很多可上網(wǎng)找
簡單的說
MOSFET的閘極有雜散電容有引線電感走線電感輸入阻抗又高Q值大容易諧振
因此加個電阻或磁珠降低Q值讓它不容易振蕩

電阻有額定功率,當超過其額定功率時,電阻就燒了.
這里之所以要求額定功率值是因為給MOS管柵極電容充電時,充電電流可能會很大,如果電阻額定功率不夠,可能被燒掉.
知道的就這些,不知對不對,僅供參考

謝謝你的回復!
關于這個問題我也尋找了很多資料,但是都沒有詳細說明!
你手上有相關資料嗎?如果可以,上傳一份行嗎?
再次感謝!

那電阻的功率值是根據(jù)什么條件來確定的?是根據(jù)柵極允許通過最大電流來確定的嗎?或者其他條件?

MOS管的參數(shù)里好像沒有“柵極允許通過最大電流”項吧,我想應該與柵極電容大小有關吧,具體根據(jù)什么來定我也很想知道,期待高手來指點!關注中

是啊!期待高手來解惑!

我們經(jīng)常稱為“驅(qū)動電阻”

要詳細資料有兩處可找
  1.書店
  2.MOSFET 制造商的應用資料庫

要選擇一個適當?shù)淖柚凳且C合需求來決定的
提供一些資料參考

327911219299509.pdf 327911219299582.pdf 327911219299740.pdf 327911219299937.pdf 327911219300178.pdf 327911219300273.pdf

非常感謝,很好的資料!
我收下了!

與EMI有關,減緩驅(qū)動波形上升速度,假設驅(qū)動方波上升時間為t,則方波頻域上高頻時轉(zhuǎn)折頻率為1/(pai*t),t越小則高頻成分越高.加上一個小電阻,可以減小Cgs的充電速度,減小驅(qū)動波形的上升速度.減小dv/dt

為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩,減小集電極的電壓尖峰,應在柵極串上合適的電阻 Rg .當 Rg 增大時,導通時間延長,損耗發(fā)熱加劇; Rg 減小時, di/dt 增高,可能產(chǎn)生誤導通,使器件損壞.應根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關頻率來選取 Rg 的數(shù)值.通常在幾歐至幾十歐之間 ( 在具體應用中,還應根據(jù)實際情況予以適當調(diào)整 ) .另外為防止門極開路或門極損壞時主電路加電損壞器件,建議在柵射間加入一電阻 Rge ,阻值為 10 k Ω左右.

謝謝你的資料啊，不錯不錯~~

同意您的觀點，原理上還是沒想明白。

很好的資料，謝謝了！

謝謝你的資料

受教了