原圖如下:
說明:單片機信號經過光耦隔離,進入IR2110S,母線電壓低于100左右時,上下橋臂驅動波形很好,逆變輸出波形也很好,當母線電壓超過100V時候,HO信號測量時消失(隔離探頭測GS兩端),但是MOS管還能正常工作,逆變輸出也還正常,電壓再升高,比如到120V,HO信號依然測不到,逆變輸出也不對了,上橋的MOS管應該是徹底不工作了。測量時,下橋信號好像也有丟失。
驅動是防著為微斯科技的模式做的,采用插板的形式查到功率地板上的,緊挨著MOSFET全橋。