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TNY277設(shè)計的5V電源

TNY277是PI的 Tnyswitch-III系列的芯片，成了高壓功率MOSFET和ON/OFF反激式電源控制器。適用于最高25 W的小型敞開式離線電源或電源適配器，并且具有出色的空載和輕載效率以及極快的瞬態(tài)響應(yīng)。外圍電路設(shè)計簡單，具有簡單的開/關(guān)控制，無需環(huán)路補償通過BP/M引腳電容值可選擇不同的電流限流。廣泛用于要求提供精確恒壓或恒壓/恒流工作的應(yīng)用。

利用TNY277設(shè)計 的5V待機電源，電源輸出可遠程控制，通過ON/OFF控制電源的啟動與待機，整體電路簡單，功耗低。

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fengxbj
LV.8
2
2020-08-10 15:31
芯片集成功能強大，具有多種輸入輸出保護功能。產(chǎn)品自帶高壓MOSFET，滿足大部分的設(shè)計要求。
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紫蝶
LV.9
3
2020-08-10 16:54
MOSFET導(dǎo)通損耗跟隨開關(guān)頻率增大而增大，MOSFET寄生電容損耗開關(guān)交疊損耗都會影響效率。
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紫蝶
LV.9
4
2020-08-10 16:55
@紫蝶
MOSFET導(dǎo)通損耗跟隨開關(guān)頻率增大而增大，MOSFET寄生電容損耗開關(guān)交疊損耗都會影響效率。
TNY277產(chǎn)品的電源對于因制造偏差、老化和工作溫度造成的元件差異相對不太敏感。
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gxg1122
LV.10
5
2020-08-11 12:27
增加偏置繞組后，更低的偏置電壓向IC供電，并抑制了內(nèi)部高壓電流源供電，從而將空載功耗降低。
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gxg1122
LV.10
6
2020-08-11 12:29
@紫蝶
MOSFET導(dǎo)通損耗跟隨開關(guān)頻率增大而增大，MOSFET寄生電容損耗開關(guān)交疊損耗都會影響效率。
隨負載的減輕，使能周期也隨之減少，從而降低有效的開關(guān)頻率，減低開關(guān)損耗。
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gxg1122
LV.10
7
2020-08-11 12:30
@紫蝶
TNY277產(chǎn)品的電源對于因制造偏差、老化和工作溫度造成的元件差異相對不太敏感。
芯片的開/關(guān)控制電路的響應(yīng)時間比PWM控制要迅速得多，可獲得精確的穩(wěn)壓精度。
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svs101
LV.8
8
2020-08-11 13:16
@gxg1122
芯片的開/關(guān)控制電路的響應(yīng)時間比PWM控制要迅速得多，可獲得精確的穩(wěn)壓精度。
當(dāng)下降的輸出電壓低于反饋閾值時，會使能一個開關(guān)周期，根據(jù)負載的不同來選擇開關(guān)次數(shù).
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svs101
LV.8
9
2020-08-11 13:17
@gxg1122
隨負載的減輕，使能周期也隨之減少，從而降低有效的開關(guān)頻率，減低開關(guān)損耗。
j為了降低偏置繞組上由漏感引起的誤差電壓影響，并保證空載時有足夠電壓供應(yīng)給BP/M引腳，以降低空載功耗
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svs101
LV.8
10
2020-08-11 13:17
@gxg1122
增加偏置繞組后，更低的偏置電壓向IC供電，并抑制了內(nèi)部高壓電流源供電，從而將空載功耗降低。
輸入電壓低于欠壓值時，TNY277就自動關(guān)斷，起到保護作用，當(dāng)輸入電壓高于欠壓閾值時才工作。
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fengxbj
LV.8
11
2020-08-11 13:23
@gxg1122
增加偏置繞組后，更低的偏置電壓向IC供電，并抑制了內(nèi)部高壓電流源供電，從而將空載功耗降低。
LYTSwitch-4系列的芯片集成了單級功率因數(shù)校正，電源功率因素可以做到大于0.9。
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fengxbj
LV.8
12
2020-08-11 13:24
@gxg1122
芯片的開/關(guān)控制電路的響應(yīng)時間比PWM控制要迅速得多，可獲得精確的穩(wěn)壓精度。
芯片的ON/OFF這種控制方式可獲得精確的穩(wěn)壓精度及出色的瞬態(tài)響應(yīng)特性。
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2020-08-11 14:30
@gxg1122
隨負載的減輕，使能周期也隨之減少，從而降低有效的開關(guān)頻率，減低開關(guān)損耗。
芯片集成功能強大，電源設(shè)計簡單，低成本高效率的設(shè)計方案。
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ehi763
LV.6
14
2021-11-05 17:08
@fengxbj
LYTSwitch-4系列的芯片集成了單級功率因數(shù)校正，電源功率因素可以做到大于0.9。

單級有源功率因素校正 一般采用的是boost電路，因為此電路的元器件最少，成本也是最低的。

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spowergg
LV.10
15
2021-11-05 17:16
@fengxbj
LYTSwitch-4系列的芯片集成了單級功率因數(shù)校正，電源功率因素可以做到大于0.9。

功率因數(shù)校正級工作在電流斷續(xù)模式,具有較低的總諧波畸變和較高的功率因數(shù)。

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xxbw6868
LV.10
16
2021-11-05 17:23
@spowergg
功率因數(shù)校正級工作在電流斷續(xù)模式,具有較低的總諧波畸變和較高的功率因數(shù)。

如果電路直接能量傳遞方式會降低直流母線電壓并且提高了電路的效率

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2021-11-05 17:27
@ehi763
單級有源功率因素校正 一般采用的是boost電路，因為此電路的元器件最少，成本也是最低的。

Boost變換器工作在DCM模式，在占空比和頻率恒定的情況下可以達到功率因數(shù)校正

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trllgh
LV.10
18
2021-11-05 17:32
@大海的兒子
Boost變換器工作在DCM模式，在占空比和頻率恒定的情況下可以達到功率因數(shù)校正

反激變換器可以工作在DCM或CCM模式，小功率可以不用加功率校正因數(shù)。

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dbg_ux
LV.9
19
2021-11-05 17:42
@svs101
j為了降低偏置繞組上由漏感引起的誤差電壓影響，并保證空載時有足夠電壓供應(yīng)給BP/M引腳，以降低空載功耗

還有電源布局的好壞，跟布局也有很大的關(guān)系，單點接地在輸入濾波電容與連接到源極引腳的銅鉑區(qū)域使用單點 接地。 

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tabing_dt
LV.10
20
2021-11-05 17:45
@dbg_ux
還有電源布局的好壞，跟布局也有很大的關(guān)系，單點接地在輸入濾波電容與連接到源極引腳的銅鉑區(qū)域使用單點接地。 

旁路電容也就是BP/M引腳電容應(yīng)放置在距離BP/M引腳和源極引腳最近的地方。

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熒火
LV.4
21
2021-12-02 11:34

感覺外圍元件還是比較多，應(yīng)該是比較老的芯片了。

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2021-12-03 17:07
@熒火
感覺外圍元件還是比較多，應(yīng)該是比較老的芯片了。

TNY277是TinySwitch-III系列的芯片，最大輸出功率23.5W，適合用來做小功率的電源，不算老的芯片，PI還有銷售這款芯片。

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spowergg
LV.10
23
2022-02-10 21:06
@紫蝶
MOSFET導(dǎo)通損耗跟隨開關(guān)頻率增大而增大，MOSFET寄生電容損耗開關(guān)交疊損耗都會影響效率。

開關(guān)電源的損耗跟電源的工作電壓，工作電流，開關(guān)頻率 相關(guān)，要看工作條件決定。

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spowergg
LV.10
24
2022-02-10 21:07
@trllgh
反激變換器可以工作在DCM或CCM模式，小功率可以不用加功率校正因數(shù)。

對于DCM、CCM等工作模式?jīng)]有必要糾結(jié)，每種模式都有優(yōu)缺點，而且有的電路往往是幾種模式共存的。

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xxbw6868
LV.10
25
2022-02-10 21:20
@spowergg
對于DCM、CCM等工作模式?jīng)]有必要糾結(jié)，每種模式都有優(yōu)缺點，而且有的電路往往是幾種模式共存的。

主要還是看選擇的芯片，比如在待機輸入低壓時或開機PFC沒工作時CCM,在PFC正常后轉(zhuǎn)為DCM.

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xxbw6868
LV.10
26
2022-02-10 21:21
@spowergg
開關(guān)電源的損耗跟電源的工作電壓，工作電流，開關(guān)頻率相關(guān)，要看工作條件決定。

還有一個條件，就是MOSFET的Rds和其它結(jié)電容，撇開這些條件就沒什么意義了。

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ehi763
LV.6
27
2022-02-10 22:05
@xxbw6868
主要還是看選擇的芯片，比如在待機輸入低壓時或開機PFC沒工作時CCM,在PFC正常后轉(zhuǎn)為DCM.

一般LED電源在DCM.DCM模式的話二次側(cè)整流管無需要考慮反響恢復(fù)時間。

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ehi763
LV.6
28
2022-02-10 22:05
@xxbw6868
還有一個條件，就是MOSFET的Rds和其它結(jié)電容，撇開這些條件就沒什么意義了。

MOSfet的損耗，分為交流損耗和導(dǎo)通損耗。導(dǎo)通損耗的話，還要看mosfet的負載是什么特性的。

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trllgh
LV.10
29
2022-02-10 22:46
@ehi763
一般LED電源在DCM.DCM模式的話二次側(cè)整流管無需要考慮反響恢復(fù)時間。

DCM峰值電流大,輸出電容紋波電流大.電容溫升高.由MOSFET關(guān)斷后振蕩狀態(tài)可以實現(xiàn)接近零電壓開通.

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dbg_ux
LV.9
30
2022-02-10 22:54
@trllgh
DCM峰值電流大,輸出電容紋波電流大.電容溫升高.由MOSFET關(guān)斷后振蕩狀態(tài)可以實現(xiàn)接近零電壓開通.

CCM傳送能量大，開關(guān)器件應(yīng)力小，有效電流小，發(fā)熱小，效率高，不過，變壓器體積比較大

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dbg_ux
LV.9
31
2022-02-10 22:55
@xxbw6868
還有一個條件，就是MOSFET的Rds和其它結(jié)電容，撇開這些條件就沒什么意義了。

mosfet的負載是感性的還是阻性的，同樣的驅(qū)動電路，mos的開關(guān)損耗是不一樣的。

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