大神，請看一下TOP266電源問題。用PI 9軟件 設計的。通電后緩慢上升電壓，一帶載就為0.測量D腳波形，為308V的一條直線。把X,V引腳都接源極后也是一樣的。沒有改善。

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在標準反激式電源轉換器中，變壓器的漏電感會在初級側FET的漏極上產生電壓尖峰，要加鉗位電路或者吸收電路。

但在電路中鉗位保護中的功率損耗限制了反激轉換器的效率。

耗散鉗位中的功率損耗與存儲與電感的能量有關。當FET導通時，變壓器初級繞組中的電流逐漸增加到峰值電流。

關斷的時候，泄漏能量不通過變壓器鐵心耦合，因此它可以保留在初級側并流入鉗位。

效率增益與漏電感與磁化電感的比率有關，通常約為2％。

TOP269KG芯片的而控制頻率可以在工作狀態變化？

TOP269KG芯片的工作電壓是多少，其性能、能耗方面如何？芯片可靠性呢？

功率MOSFET的占空比隨控制引腳 電流的增大而線性減少

提高系統的轉換效率。在PWM模式，由谷底產生開啟信號，工作頻率由系統設計的變壓器參數決定，高工作頻率限制在125kHz。

低頻率的選擇可以減低輕載功耗，可以使功耗減少大概多少呢

這種模式的原理就是當峰值漏極電流降到設定流限值的25%時，控制器便會自動切換到多周期調制模式。

多周期調制功能可有效地將每個平均開關頻率控制在所需的音頻范圍內，保持輸出穩壓，同時避免出現前面提到的磁芯自諧振頻率。

TOP269KG工作中在以非連續導通模式(DCM)工作的反激式轉換器中，輸出到負載的功率與開關頻率、變壓器初級電感量以及峰值初級電流平方均成比例

TOPSWITCH芯片設計電路時當采用交流230V輸入時，電路空載功耗可降到300mW以下，遠遠低于能源之星所允許的500mW空載功耗。其中后面出的innoswitch系列功耗更低。

高散熱效率的esop封裝在通過pcb散熱的情況下可以提供高達40 w的輸出功率，封裝也比較薄。