tny276設計的5V電源

LV.5

2020-07-08 18:23

在265 VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗<150 mW；有偏置繞組時空載能耗<50 mW。

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LV.5

2020-07-08 18:23

@塵埃中的一粒沙

在265VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗

作為外部限流點設定，根據所使用電容的數值選擇電流限流值。使用數值為0.1 μF的電容會工作在標準的電流限流值上。

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LV.5

2020-07-08 18:25

@塵埃中的一粒沙

作為外部限流點設定，根據所使用電容的數值選擇電流限流值。使用數值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。

振蕩器電路可導入少量的頻率抖動，通常為8 kHz峰峰值用來降低EMI。

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gxg1122

LV.10

2020-07-09 12:42

@塵埃中的一粒沙

作為外部限流點設定，根據所使用電容的數值選擇電流限流值。使用數值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。

TNY279設計電源時可根據BP/M引腳的不同電容值可實現TinySwitch系列的電流限制選擇功能。

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gxg1122

LV.10

2020-07-09 12:43

@塵埃中的一粒沙

作為外部限流點設定，根據所使用電容的數值選擇電流限流值。使用數值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。

使用10μF BP/ M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。

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LV.9

2020-07-09 12:46

當連續不需要更高功率時，它允許在設計中使用具有更高電流限制的更小器件.

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LV.9

2020-07-09 12:46

@塵埃中的一粒沙

振蕩器電路可導入少量的頻率抖動，通常為8kHz峰峰值用來降低EMI。

頻率抖動的調制速率設置在1 kHz的水平，目的是降低平均及準峰值的EMI.

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svs101

LV.8

2020-07-09 12:58

@k6666

頻率抖動的調制速率設置在1kHz的水平，目的是降低平均及準峰值的EMI.

TNY276芯片的頻率抖動范圍是有限的，主要是改善EMI的指標。

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svs101

LV.8

2020-07-09 12:59

@gxg1122

使用10μFBP/M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。

一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF 的選擇。

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svs101

LV.8

2020-07-09 13:00

@塵埃中的一粒沙

在265VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗

采用偏置繞組待機功耗做的好的可以到30mW,高效低成本。

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LV.5

2020-07-14 12:44

@svs101

TNY276芯片的頻率抖動范圍是有限的，主要是改善EMI的指標。

雖然頻率抖動范圍有限，但整體EMI改善很多，降低了電源設計成本。

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LV.9

2020-07-24 21:00

@塵埃中的一粒沙

在265VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗

TNY276提供了一個靈活的設計方案，適合更低的系統成本.

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LV.9

2020-07-24 21:01

@塵埃中的一粒沙

雖然頻率抖動范圍有限，但整體EMI改善很多，降低了電源設計成本。

設計的時候無需環路補償，通過BP/M引腳電容值選擇不同的電流限流點.

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LV.9

2020-07-24 21:02

@k6666

設計的時候無需環路補償，通過BP/M引腳電容值選擇不同的電流限流點.

電源的設計電流限流點可以通過外接的電容選取。

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LV.9

2020-07-24 21:03

@svs101

一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF的選擇。

一般選擇0.1uF的電容進行

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LV.12

2020-12-14 14:24

TNY276P有沒有P2P替代的芯片

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baaps815

LV.1

2020-12-18 09:56

@謝厚林

TNY276P有沒有P2P替代的芯片

我司提供TNY276PN PIN TO PIN替換芯片，歡迎各位大佬選用。

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fengxbj

LV.8

2020-12-27 19:40

@k6666

頻率抖動的調制速率設置在1kHz的水平，目的是降低平均及準峰值的EMI.

芯片的頻率抖動技術可以有效降低電源的濾波成本，并且EMI性能也很好。

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fengxbj

LV.8

2020-12-27 19:41

@svs101

一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF的選擇。

這個外接的電容容值按手冊推薦就行。

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LV.12

2021-01-27 08:53

@k6666

電源的設計電流限流點可以通過外接的電容選取。

啟動時，偵測BP電容放電時間來確定

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LV.12

2021-08-27 17:05

@baaps815

我司提供TNY276PN PINTO PIN替換芯片，歡迎各位大佬選用。

是不是晶豐的BPA8616P??

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dy-eXBSZjY1

LV.1

2021-09-01 15:42

@謝厚林

是不是晶豐的BPA8616P??

赫步電子直接替代 TNY276系列

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大海的兒子

LV.10

2021-09-05 16:28

反激電源最大的一個缺點就是峰值電流太大，而且占空比小了直接還影響到了初級線圈的匝數，間接的影響了變換器的功耗和溫升。

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trllgh

LV.10

2021-09-05 16:30

@大海的兒子

反激電源最大的一個缺點就是峰值電流太大，而且占空比小了直接還影響到了初級線圈的匝數，間接的影響了變換器的功耗和溫升。

電源很多都這樣，都是在假定條件下進行試驗然后根據實際的工作情況進行改進，就是一個試驗然后完善的。

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LV.12

2021-09-13 17:42

設計時要防止芯片鎖死

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ycdy09@163.com

LV.9

2021-09-18 18:01

@gxg1122

使用10μFBP/M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。

單片隔離式智能集成芯片為核心設計，可提高封閉式適配器/充電器設計的效率。

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LV.10

2022-06-07 20:38

@塵埃中的一粒沙

作為外部限流點設定，根據所使用電容的數值選擇電流限流值。使用數值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。

如果選擇使用可熔電阻，則電阻要選擇阻燃類型的，并根據輸入差模雷擊測試要求選取繞線類型的電阻

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LV.10

2022-06-07 20:40

@gxg1122

使用10μFBP/M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。

對于使用一個Y電容及一個單電感或帶有磁珠的電感的設計，應將電感放置在Y電容連接點的另一側

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LV.10

2022-06-07 20:42

@svs101

一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF的選擇。

半波整流的設計中在功率返回端增加另外一個二極管可以改善EMI抗干擾性能

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