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INN3674C設計的16.5W隔離反激式

        InnoSwitchTM3-EP系列芯片內部集成了725 V的功率MOSFET以及初級側和次級側的控制器,這些芯片均集成了初級和次級多模準諧振反激式控制器,高電壓場效應管,次級傳感和同步整流驅動器,效率也可以做的比較高,可以做到90%以上。 

      電源用INN3674C芯片設計的用于16.5W隔離反激式設計,雙輸出為5 V和9 V,電流大小分別為1.5 A和1 A,其滿載時效率大于86%。雙輸出反激電源主要由輸入濾波器和整流器、原邊電路和副邊電路三大部分組成。INN3674C采用InSOP-24D封裝,該封裝為引腳封裝,具備安全、可靠、成本低的特點。

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gxg1122
LV.10
2
2020-04-11 21:29
這個電路設計支持快充協議QC3.0標準嗎?
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紫蝶
LV.9
3
2020-04-12 21:11
@gxg1122
這個電路設計支持快充協議QC3.0標準嗎?
這個電路設計是滿足快充協議標準的,輸出功率也比較大。
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gxg1122
LV.10
4
2020-04-13 12:25
@紫蝶
這個電路設計是滿足快充協議標準的,輸出功率也比較大。
這個是比較常見的隔離方式的大功率小體積的電源設計,效率比較高。
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lx25hb
LV.8
5
2020-04-13 12:51
INN3674優異的恒壓/恒流精度,不受變壓器設計或外圍元件的影響
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cb_mmb
LV.8
6
2020-04-13 13:00
INN3674內置的同步整流(SR)驅動器,允許使用低成本的低壓MOSFET進行同步整流,并可提高系統效率。
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dbg_ux
LV.9
7
2020-04-13 13:12
   InnoSwitch3系列的芯片散熱性能好,減小損耗的同時實現了縮減產品的體積,提升電源的效率。
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xxbw6868
LV.10
8
2020-04-13 13:17
@cb_mmb
INN3674內置的同步整流(SR)驅動器,允許使用低成本的低壓MOSFET進行同步整流,并可提高系統效率。
這個內置的同步整流驅動器算是一種比較先進的技術了吧,PI芯片只有這個系列和LYTSWITCH-6有這個功能。
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kckcll
LV.9
9
2020-04-13 13:33
@dbg_ux
  InnoSwitch3系列的芯片散熱性能好,減小損耗的同時實現了縮減產品的體積,提升電源的效率。
INN3674具有多種安全保護,比如線路上的欠壓或過壓保護,輸出端的限壓限流保護以及過熱關斷保護等。
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紫蝶
LV.9
10
2020-04-13 17:59
@xxbw6868
這個內置的同步整流驅動器算是一種比較先進的技術了吧,PI芯片只有這個系列和LYTSWITCH-6有這個功能。
芯片內置同步整流電路,電源的輸出效率高,設計也簡單,不需要自己設計同步電路。
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紫蝶
LV.9
11
2020-04-13 18:03
@dbg_ux
  InnoSwitch3系列的芯片散熱性能好,減小損耗的同時實現了縮減產品的體積,提升電源的效率。
開關電源同步整流需要全面測試,選擇合適的器件。內部集成了這些測試就簡單了。
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紫蝶
LV.9
12
2020-04-13 18:05
@cb_mmb
INN3674內置的同步整流(SR)驅動器,允許使用低成本的低壓MOSFET進行同步整流,并可提高系統效率。
這個選擇低成本的MOSFET進行同步整流,優勢是降低產品成本,且性能不減。
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fengxbj
LV.8
13
2020-04-13 19:04
@紫蝶
芯片內置同步整流電路,電源的輸出效率高,設計也簡單,不需要自己設計同步電路。
主控電源芯片封裝薄而小,適合超薄小尺寸的電源設計需求。
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2020-04-14 12:50
@kckcll
INN3674具有多種安全保護,比如線路上的欠壓或過壓保護,輸出端的限壓限流保護以及過熱關斷保護等。
該系列的開關電源有較高的輸出功率,而不同型號的的開關電源IC有不同的輸出功率
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trllgh
LV.10
15
2020-04-14 12:53
@紫蝶
這個選擇低成本的MOSFET進行同步整流,優勢是降低產品成本,且性能不減。
另外在SR FET上連接一個肖特基二極管可進一步將效率提高0.1%-0.2%,但是會增加成本。
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xxbw6868
LV.10
16
2020-04-14 12:57
@lx25hb
INN3674優異的恒壓/恒流精度,不受變壓器設計或外圍元件的影響
INN3674的初級旁路引腳電容用作內部初級側控制器的供電去耦電容,可決定內部MOSFET的電流限流點。
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spowergg
LV.10
17
2020-04-14 13:01
@kckcll
INN3674具有多種安全保護,比如線路上的欠壓或過壓保護,輸出端的限壓限流保護以及過熱關斷保護等。
當給開關電源供給230V左右的交流電壓時,敞開式功率應用范圍是12-45W,
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kckcll
LV.9
18
2020-04-15 13:20
@xxbw6868
INN3674的初級旁路引腳電容用作內部初級側控制器的供電去耦電容,可決定內部MOSFET的電流限流點。
4.7μF的電容選擇升高限流點,0.47μF的電容選擇標準限流點。
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dbg_ux
LV.9
19
2020-04-15 13:28
@kckcll
INN3674具有多種安全保護,比如線路上的欠壓或過壓保護,輸出端的限壓限流保護以及過熱關斷保護等。
當給開關電源供給85-265V范圍內的交流電壓時,敞開式功率應用范圍是10-40W。
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svs101
LV.8
20
2020-04-15 14:31
@kckcll
4.7μF的電容選擇升高限流點,0.47μF的電容選擇標準限流點。
這個看設計需要,外接電容容值不同,電源設計的限流點是不同的。
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svs101
LV.8
21
2020-04-15 14:31
@紫蝶
芯片內置同步整流電路,電源的輸出效率高,設計也簡單,不需要自己設計同步電路。
PI芯片內置同步整流控制器,電路設計就簡單化,且產品尺寸也縮小了。
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svs101
LV.8
22
2020-04-15 14:38
@dbg_ux
當給開關電源供給85-265V范圍內的交流電壓時,敞開式功率應用范圍是10-40W。
PI的這個系列芯片設計寬范圍電壓輸入,輕載或重載時整體效率比較高。
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lx25hb
LV.8
23
2020-04-15 17:47
@trllgh
另外在SRFET上連接一個肖特基二極管可進一步將效率提高0.1%-0.2%,但是會增加成本。
由于低壓MOSFET的成本較低,SR FET可在不增加成本的前提下提供顯著的效率提升。
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cb_mmb
LV.8
24
2020-04-15 17:53
@kckcll
4.7μF的電容選擇升高限流點,0.47μF的電容選擇標準限流點。
為確保獲得正確的電流限流值,建議僅使用0.47μF/4.7μF的電容。
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spowergg
LV.10
25
2020-04-15 17:59
@trllgh
另外在SRFET上連接一個肖特基二極管可進一步將效率提高0.1%-0.2%,但是會增加成本。
也可以通過將柵極驅動同步整流引腳短接至接地,可以使用肖特基二極管或快速恢復二極管進行輸出整流。
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xxbw6868
LV.10
26
2020-04-15 18:04
@kckcll
4.7μF的電容選擇升高限流點,0.47μF的電容選擇標準限流點。
這個電容雖然可以使用電解電容,但在雙面板上最好用貼片的X7R陶瓷電容.對電容容量誤差也是有要求的。
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2020-06-17 17:49
@gxg1122
這個是比較常見的隔離方式的大功率小體積的電源設計,效率比較高。
選擇使用INN3674C芯片主要就是因為簡化同步整流變換的設計和生產。
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2020-08-28 21:17
@cb_mmb
INN3674內置的同步整流(SR)驅動器,允許使用低成本的低壓MOSFET進行同步整流,并可提高系統效率。
管理器內部的次級側檢測和同步整流驅動器完全簡化
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k8882002
LV.9
29
2021-09-16 14:22
@xxbw6868
INN3674的初級旁路引腳電容用作內部初級側控制器的供電去耦電容,可決定內部MOSFET的電流限流點。

如果把電源按照平均功率設計但允許超出額定最大電流的 50% 的峰值電流通過,則電源會比較小。

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2021-09-16 14:41
@k8882002
如果把電源按照平均功率設計但允許超出額定最大電流的50%的峰值電流通過,則電源會比較小。

適合較低平均功率的磁性元件是可以應對峰值功率的,雖然在峰值期間的效率稍微低些。

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wengnaibing
LV.9
31
2021-09-16 14:44
@眼睛里的海
適合較低平均功率的磁性元件是可以應對峰值功率的,雖然在峰值期間的效率稍微低些。

這樣不會顯著影響電源的效率,反而較小尺寸的變壓器會減小整體尺寸和降低成本

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