SP6649HF 是一顆電流模式 PWM 控制芯片，內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，應(yīng)用于功率在 30W 以內(nèi)的方案。SP6649HF 在 PWM 模式下工作于固定開關(guān)頻率，這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí)，工作頻率由 IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。SP6649HF 在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以此來進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時(shí)，避免次諧波振蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)（Leading-edge blanking time），消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對(duì)電路的影響。SP6649HF 采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI 性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6649HF 內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過載保護(hù)（OLP），過壓保護(hù)（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO），過溫保護(hù)（OTP）等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的 EMI 特性和開關(guān)的軟啟動(dòng)控制.主要應(yīng)用充電器? PDA、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)電源適配器? 機(jī)頂盒電源? 開放框架式開關(guān)電源? 個(gè)人電腦輔助電。

SP6539F 是一顆高性能的開關(guān)電源次級(jí)側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開關(guān)電源應(yīng)用中，輕松滿足 6 級(jí)能效，是理想的超低導(dǎo)通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達(dá) 150kHz 的開關(guān)頻率應(yīng)用，并且支持 CCM / QR / DCM 等開關(guān)電源工作模式應(yīng)用，其極低導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的損耗遠(yuǎn)小于肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，大幅降低了整流器件的溫度。芯片內(nèi)置耐壓 100V 的 NMOSFET 同步整流開關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，典型 RdsON 低至 11mΩ，可提供系統(tǒng)高達(dá) 3A 的應(yīng)用輸出；還內(nèi)置了高壓直接檢測(cè)技術(shù)，耐壓高達(dá) 200V；以及高達(dá) 30V 的供電電壓，使得控制器可直接使用高至 24V 的輸出電壓整流應(yīng)用中，極大擴(kuò)展了使用范圍。高集成度的電路設(shè)計(jì)使得芯片外圍電路極其簡單，在 QC 與 PD 5V/9V/12V 應(yīng)用中，只需搭配 1 顆電容，即可構(gòu)建一個(gè)完整的同步整流應(yīng)用系統(tǒng)。支持開關(guān)電源 CCM/QR/DCM 模式? 極佳的 5V/9V/12V 快充同步整流應(yīng)用? 內(nèi)置 MOS 耐壓達(dá) 100V? 內(nèi)置 MOS 的導(dǎo)通電阻最低至 11mΩ? 較傳統(tǒng)肖特基提升效率 2~6%? 極寬的工作電壓范圍 4.5V 至 36V? 可 5V 直接供電或由輔助繞組供電? 靜態(tài)工作電流可低至 600uA? 支持開關(guān)電源頻率最高至 150KHz? SOP8 封裝形式。

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