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400w 同步半橋DCDC降壓模塊帶載問題 TL494

原理圖.pdf

     小弟近期設計了一款恒壓橫流充電模塊,成品出來后帶載能力差,帶載1A輸出電壓即被拉低1V,請教各位前輩是哪里出的問題。

      附件PDF為原理圖,輸入dc36V,輸出29.4V,橫流階段最大電流15A.拓撲為降壓同步半橋 。現在問題是帶載能力問題,橫流正常。請各位前輩不吝賜教。

微信圖片_20190320162008微信圖片_20190320162021

這是高端mos GS波形

微信圖片_20190320162502

全部回復(22)
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2019-03-20 18:50
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2019-03-20 19:44
@chenyingxin7610
[圖片]

這種板子,就要注意布板時的采樣點,

還有調機時反饋網絡

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2019-03-21 14:24
@chenyingxin7610
[圖片]
啥意思?
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2019-03-21 14:25
@水鄉電源
這種板子,就要注意布板時的采樣點,還有調機時反饋網絡
能說具體點嗎 
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2019-03-21 20:12
@huajianjiu
啥意思?

小電流的板子,對布板影響不是很大,當然有一定的影響,

而大電流的板子,講究的是瞬態響應,走線要求,芯片地,和采樣電阻地,都是有講究的,

反饋網絡也要調試好

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2019-03-21 22:46
降低一點輸出電壓,看看是不是占空比限制了...
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2019-03-22 08:45
@qinzutaim
降低一點輸出電壓,看看是不是占空比限制了...
采樣線盡量短而且要小,線寬0.3~0.5mm就可,越小受到外界的干擾就小,響應快
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2019-03-22 11:29
@水鄉電源
小電流的板子,對布板影響不是很大,當然有一定的影響,而大電流的板子,講究的是瞬態響應,走線要求,芯片地,和采樣電阻地,都是有講究的,反饋網絡也要調試好

我嘗試更換不同型號的MOS管 輸出被拉低的幅度居然不一樣 

還有更換MOS管G極的限流電阻也會造成同樣的結果 限流電阻過小也會發生死區移位造成了上下管同時導通的情況,是不是半橋驅動的驅動能力不足?

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huajianjiu
LV.3
10
2019-03-22 11:32
@qinzutaim
降低一點輸出電壓,看看是不是占空比限制了...
我輸入電壓從32-36V調節 輸出被拉低的幅度也會變小,難道在32V輸入時占空比真的被限制了?占空比被限制的原因是什么。
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huajianjiu
LV.3
11
2019-03-22 11:33
@水鄉電源
采樣線盡量短而且要小,線寬0.3~0.5mm就可,越小受到外界的干擾就小,響應快
這個很難做到啊,電壓反饋線長度在5CM左右,我手里有個很好的模塊反饋線也是很長的,帶載能力就很好。
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huajianjiu
LV.3
12
2019-03-22 11:38
@huajianjiu
我嘗試更換不同型號的MOS管輸出被拉低的幅度居然不一樣 還有更換MOS管G極的限流電阻也會造成同樣的結果限流電阻過小也會發生死區移位造成了上下管同時導通的情況,是不是半橋驅動的驅動能力不足?
并且低端mos G極限流電阻兩段的波形都不一致。靠近低端MOS管G極一端波行很爛,GS只有5V左右,這是什么原因造成的呢,我怎么感覺是半橋驅動能力的問題。高端的柵極調節限流電阻,限流電阻兩段波形無明顯變化,波形圖就是帖子里的。
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2019-03-23 21:47
@huajianjiu
我輸入電壓從32-36V調節輸出被拉低的幅度也會變小,難道在32V輸入時占空比真的被限制了?占空比被限制的原因是什么。

是盡量短,不是說長了就不行,

根據你的板子空間,盡量短,線寬0.3-0.5mm就可以了,不需要很寬的線

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fysh
LV.5
14
2019-03-24 21:23
估計限占空比的多
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huajianjiu
LV.3
15
2019-03-25 13:02
@fysh
估計限占空比的多
TL494 的4腳通過電阻接地了,數據手冊里說的是DT接地輸出占空比可到94,難道是我理解有誤嗎?
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huajianjiu
LV.3
16
2019-03-25 13:03
@水鄉電源
是盡量短,不是說長了就不行,根據你的板子空間,盡量短,線寬0.3-0.5mm就可以了,不需要很寬的線

將mos驅動IC換成了IR2184 低端驅動波形好多了

證實了原來的驅動IC驅動能力不足的猜想

下載還是帶載拉低的問題了

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2019-03-25 22:22
@huajianjiu
TL494的4腳通過電阻接地了,數據手冊里說的是DT接地輸出占空比可到94,難道是我理解有誤嗎?
那是有頻率范圍要求的,這么多天了還沒確認嗎?直接開環測試一下驅動不就知道了.
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ruohan
LV.9
18
2019-03-26 08:44
@huajianjiu
并且低端mosG極限流電阻兩段的波形都不一致。靠近低端MOS管G極一端波行很爛,GS只有5V左右,這是什么原因造成的呢,我怎么感覺是半橋驅動能力的問題。高端的柵極調節限流電阻,限流電阻兩段波形無明顯變化,波形圖就是帖子里的。
有圖紙沒有,
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fysh
LV.5
19
2019-04-01 08:58
@fysh
估計限占空比的多
需要2個通道并聯
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fysh
LV.5
20
2019-04-01 08:58
@huajianjiu
TL494的4腳通過電阻接地了,數據手冊里說的是DT接地輸出占空比可到94,難道是我理解有誤嗎?
沒有通道并聯只有一半
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huajianjiu
LV.3
21
2019-04-11 12:02
@fysh
需要2個通道并聯

是兩個通道并聯的 ,確實是占空比被限制了 ,提高一點輸入電壓就可以了。

為什么494達不到標稱的最大占空比97%呢?

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fysh
LV.5
22
2019-04-11 14:35
@huajianjiu
是兩個通道并聯的,確實是占空比被限制了,提高一點輸入電壓就可以了。為什么494達不到標稱的最大占空比97%呢?
你有死區時間撒這個占用了
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ruohan
LV.9
23
2019-09-25 07:55
@fysh
你有死區時間撒這個占用了
你這樣做上下MOS 開關之間的死區沒有嗎
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