18W  六級能效快充電源主要特性：1 、輸入電壓范圍 90V AC ~264V AC2 、輸出 5V DC /3.0A 、9V DC /2.0A 、12V DC /1.5A3 、輸出最大紋波 90mV  以內4 、輸出電壓步進±200mV5 、具有輸出過流保護、短路保護、過溫保護等功能6 、符合“DOE&COC”6  級能效標準7 、通過 EN55022 ClassB 的 的 EMI  測試標準8 、通過 EFT 4KV

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一、概述是一顆電流模式 PWM：   

     控制芯片，內置 650V 高壓功率 MOSFET，應用于功率在 18W 以內的方案。 在 PWM 模式下工作于固定開關頻率，這個頻率是由內部精確設定。在空載或者輕載時，工作頻率由 IC 內部調整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內置有斜坡補償電路，當電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發生，改善系統的穩定性。內置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），消除緩沖網絡中的二極管反向恢復電流對電路的影響。 采用了抖頻技術，能夠有效改善系統的 EMI 性能。系統的跳頻頻率設置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統產生噪音。 內置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的 EMI 特性和開關的軟啟動控制。

 二、特點全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機功耗小于 100mW內置 650V 高壓功率管4ms 軟啟動用來減少 MOSFET 上 Vds 的應力抖頻功能，改善 EMI 性能跳頻模式，改善輕載效率，減小待機功耗無噪聲工作固定 65KHz 開關頻率內置同步斜坡補償低啟動電流，低工作電流內置前沿消隱(LEB)功能過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）VDD 過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD 電壓箝位過溫保護（OTP）SOP8 無鉛封裝