MOS管Vds與Id之間的關系是線性關系？斜率就是Rdon？
而IGBT的Vce和Ic之間的關系是怎么樣一個關系？
一個基礎問題，為什么衡量導通損耗，MOS管是導通電阻，而IGBT是導通壓降？
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從問題可以看出來你沒學好模擬或沒學過模擬
MOS管可以看成一個壓控電阻，在放大區的時候RDS和VGS成線性關系，超出放大區的時候MOS完全導通，此時在MOS上的損耗=I^2*Rds，RDS此時基本是不變的，可以看成是一個常量，所以他的斜率就是RDS.
而三極管是非線性元件，飽和導通的時候VCE壓降與ICE電流無關，所以三極管上的損耗=ICE*VCE，VCE在驅動電流超過一定值時也是基本不變的，也可以看成一個常量，所以你懂的。
IGBT屬于三極管和MOS管的結合的一個元件，用電壓驅動，但VCE與三極管的是一樣的，所以它的損耗=ICE*VCE，與三極管的計算是一樣的
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@bpyanyu
從問題可以看出來你沒學好模擬或沒學過模擬MOS管可以看成一個壓控電阻，在放大區的時候RDS和VGS成線性關系，超出放大區的時候MOS完全導通，此時在MOS上的損耗=I^2*Rds，RDS此時基本是不變的，可以看成是一個常量，所以他的斜率就是RDS.而三極管是非線性元件，飽和導通的時候VCE壓降與ICE電流無關，所以三極管上的損耗=ICE*VCE，VCE在驅動電流超過一定值時也是基本不變的，也可以看成一個常量，所以你懂的。IGBT屬于三極管和MOS管的結合的一個元件，用電壓驅動，但VCE與三極管的是一樣的，所以它的損耗=ICE*VCE，與三極管的計算是一樣的
從圖像來說，在固定某個驅動電壓值時，IGBT的伏安特性的線性度要比MOS管好啊。為何指標上不規定某幾個常用驅動電壓時的等效導通電阻呢？而且從圖像上看，MOS管也存在類似IGBT飽和區的恒流區
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@bpyanyu
從問題可以看出來你沒學好模擬或沒學過模擬MOS管可以看成一個壓控電阻，在放大區的時候RDS和VGS成線性關系，超出放大區的時候MOS完全導通，此時在MOS上的損耗=I^2*Rds，RDS此時基本是不變的，可以看成是一個常量，所以他的斜率就是RDS.而三極管是非線性元件，飽和導通的時候VCE壓降與ICE電流無關，所以三極管上的損耗=ICE*VCE，VCE在驅動電流超過一定值時也是基本不變的，也可以看成一個常量，所以你懂的。IGBT屬于三極管和MOS管的結合的一個元件，用電壓驅動，但VCE與三極管的是一樣的，所以它的損耗=ICE*VCE，與三極管的計算是一樣的
VCE在驅動電流超過一定值時也是基本不變的，也可以看成一個常量
這句不對吧？
當三極管飽和后，進入的是恒流區域，柵極驅動電流與集電極電流無關，集電極電流也與集電極-發射極電壓無關，恒定的是集電極電流，而不是集電極-發射極電壓即飽和壓降吧？
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