第三代半導(dǎo)體材料SIC碳化硅的發(fā)展在功率器件市場成為絕對的焦點(diǎn)。

SiC功率器件具有高耐壓、低損耗、高效率等特性，高頻高溫，是同等硅器件耐壓的10倍，能夠降低系統(tǒng)尺寸和運(yùn)行成本。使用SiC器件可令系統(tǒng)成本下降，性能顯著提高，并且由于減少了外圍被動器件的使用，系統(tǒng)尺寸可大幅縮減。

基于硅基四英寸生產(chǎn)線設(shè)備能力，通過設(shè)計仿真、單項(xiàng)工藝和工藝整合技術(shù)攻關(guān)，深圳市深鴻盛電子有限公司創(chuàng)新性地開發(fā)了低溫離子注入工藝，解決了高耐壓、低漏電、邊緣放電等關(guān)鍵問題，掌握了SiC肖特基二極管制備關(guān)鍵技術(shù)，具備了SiC肖特基產(chǎn)品研制、生產(chǎn)能力，在產(chǎn)品性能、可靠性等方面具有國內(nèi)領(lǐng)先水平。

SiC肖特基二極管主要應(yīng)用于混合動力、光伏逆變器、礦機(jī)電源、電焊機(jī)和充電樁。

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