自己沙發(fā)，慢慢上。

變壓器： 納米晶 超微晶 80*50*25 繞玻璃絲帶 大功率磁芯，內(nèi)層次極線徑1.5 雙線并繞，繞滿。外層初級線徑1.5X12根，分成兩組各6根各繞6咂（每咂8V），每組接一個(gè)H橋，兩組為并聯(lián)關(guān)系（這樣做是為了布局方便）。

移相全橋：暫時(shí)用了8只IRFB4668，（實(shí)際用80-100V的管子就可以了），Rdson 大了些，用IRFB4568 應(yīng)該會(huì)更好。

輔助源：采用這樣的輔助源主要是要有確切的起動(dòng)電壓和關(guān)斷回差。在這里調(diào)到30V起動(dòng)、27V關(guān)閉。用13V穩(wěn)壓管實(shí)際輸出電壓在13.7V。

主控板實(shí)物照片：

現(xiàn)在測試的情況還不錯(cuò)。升壓部分（移相全橋）主要損耗是導(dǎo)通損耗（將來要選合適的管子），目前主要是做定性評估。如控制策略等。

這個(gè)測試是從通信口送出的測試信息，交流輸出電壓按示波器的方均根值效準(zhǔn)，輸出電流按FLUKE317鉗流表較準(zhǔn)。

這個(gè)測試效率包含風(fēng)扇、輔助源耗電，不含電線耗電。做硬件、軟件調(diào)整時(shí)定性分析非常有用，方便。

上圖中有兩個(gè)交流輸出電壓：前一個(gè)是方均根值，后一個(gè)是算術(shù)平均值，當(dāng)前軟件中做控制用的是方均根值（真有效值）。這兩個(gè)值在波形失真時(shí)會(huì)不同。

關(guān)于PCB布局：

大電流最短路徑：在PCB上，直流輸入分別用四根6mm2輸入線和輸出線焊在板上，其入點(diǎn)到功率管腳距離5mm。PCB基本不走大電流。用1 昂絲的銅厚都不用開窗鍍錫。基本沒有PCB銅損。 

功率板上預(yù)置了一路AC電壓采樣和一路AC電流采樣電路，以備外接EMC電路、并網(wǎng)切換電路、防雷電路后進(jìn)行并網(wǎng)功能。也預(yù)置了一些AD端口、I/O端口、PWM端口 等，可接駁MPPT光伏充電或貯能方面的功能。 實(shí)現(xiàn)上述控制程序均由主控板完成。

哈哈，亂亂的工作臺(tái)。

為了調(diào)試方便，程序中做了Modbus_RTU 服務(wù)器，可用通用的Modbus工具進(jìn)行訪問。6樓就是用Modbus Poll 訪問的截圖。

前兩天電源網(wǎng)老打不開，今天電源網(wǎng)正常了，發(fā)點(diǎn)測試波形。 后邊也談點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)，供大家參考。

測試探頭連接圖。

1：前橋臂下管DS電壓；2：后橋臂下管DS電壓；3：前橋上管GS電壓；4：前橋下管GS電壓。

當(dāng)前空載：供電壓60V。閉環(huán)，設(shè)定母線電壓325V，前后橋相位差接近0。

為了降低空載待機(jī)電流，程序中空載設(shè)定母線電壓325V，有載時(shí)設(shè)定母線電壓400V，這樣的好處是，1）空載電流??；

2）在大部分工作電池電壓下，工作狀態(tài)和開環(huán)一樣（前后橋相位180度）高效率。只有在輕載且電池電壓特別高時(shí)才處于閉環(huán)狀態(tài)。

當(dāng)前帶載2000W：前后橋相位差180度。

當(dāng)前帶載2000W：前后橋相位差180度。拉開看一下。1通道上升沿。

當(dāng)前帶載2000W：前后橋相位差180度。拉開看一下。1通道下降沿。

當(dāng)前帶載2000：前后橋相位差180度。1通道下降沿。

當(dāng)前空載：前后橋相位差接近0度。1通道上升沿。

4通道換了高壓探頭，測變壓器次級波形。當(dāng)前帶載2000W。

拉開看一下。當(dāng)前帶載2000W。

拉開看一下。另一個(gè)沿。當(dāng)前帶載2000W。

當(dāng)前帶載2000W。軟啟動(dòng)的中間過程。

移相全橋DS未加任何吸收電路；次級是全橋整流，未接任何吸收電路。沒測電流，但從電壓波形上看，超前橋?qū)崿F(xiàn)了軟開關(guān)，滯后橋臂不夠軟。在180度相移時(shí)，前后橋都是軟開關(guān)。

從電壓波形上看，開關(guān)管的電壓尖峰基本沒有，管子可選高于最高供電電壓10V的耐壓。80V的管子足夠安全。有時(shí)間上個(gè)80V兩毫歐的管子測一下。相信效率可以有很大提高?，F(xiàn)在是用的IRFP4668。

輸出波形、THD、等。

軟件中做了過零點(diǎn)關(guān)機(jī)：用開關(guān)關(guān)機(jī)、120% 過載10秒關(guān)機(jī)、150%過載立即關(guān)機(jī) 都是從過零點(diǎn)關(guān)機(jī)。

只有短路關(guān)機(jī)、上下橋直通保護(hù)是任意點(diǎn)關(guān)機(jī)。

空載、120W負(fù)載、2000W負(fù)載時(shí)波形差不多都這樣。

過零點(diǎn)波形是這樣的，還沒做死區(qū)補(bǔ)償呢，做了死區(qū)補(bǔ)償過零點(diǎn)就會(huì)更好。死區(qū)對過零點(diǎn)影響較大。

帶200W燈泡時(shí)的THD。

帶一個(gè)200W燈泡+2個(gè)1000W電阻時(shí)的THD。

）

帶2個(gè)1000W電阻時(shí)的電壓，空載時(shí)；帶一個(gè)200W燈時(shí)；帶一個(gè)200W燈泡+2個(gè)1000W電阻時(shí)的 電壓都是219.6~219.7V.

糾正一下：是四根下正極線和四根負(fù)極線。

今天將一樓的PCB更換成照片了。

這次做這款機(jī)器，償試了各種管子在逆變H橋上的應(yīng)用，得到了一些經(jīng)驗(yàn)。今天說說逆變H橋的用管體會(huì)。

1。IGBT 的使用：這次償試了IKW75N60，用四只做到3000W沒有問題。只是愛飽和 壓降制約，在小功率時(shí)效率要低一些。驅(qū)動(dòng)開通電阻可選范圍較大，在不加負(fù)壓驅(qū)動(dòng)關(guān)斷阻要小于5R。死區(qū)也不可太小。做管壓降探測保護(hù)的話消隱時(shí)間要長些。

2。MOS管：這次償試了FQA２８N５０。用四只帶到２０００W 。用八只帶３０００W。這只管子導(dǎo)通速度較快，所以驅(qū)動(dòng)開通電阻要大些，米勒平臺(tái)比較平坦；關(guān)斷驅(qū)動(dòng)要足，否則可能出現(xiàn)寄生導(dǎo)通，這次沒用負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷電阻?。癛。DS波形可以調(diào)到方方正正，效率也不錯(cuò)。做管壓降探測保護(hù)的話消隱時(shí)間可以很短。保護(hù)點(diǎn)也容易調(diào)整。

３。CoolMOS 管：這次償試了IPW４７N６０C３，和 IPW６０R０４１C６。這兩只管子ｄＶ／ｄT 很大，而其體二極管恢復(fù)速度較慢，所以要控制其開通速度，否測就會(huì)出現(xiàn)上管導(dǎo)通時(shí)下管體二極管還沒關(guān)斷的短路電流，這個(gè)電流很大，輕則效率低，重則炸管。但控制好了的話，效率比平面MOS 和IGBT高很多。但由于 ｄＶ／ｄT大，做ＥＭＣ可能很因難。柵極震蕩較難控制。也非常易產(chǎn)生寄生導(dǎo)通。

4.這次對三種管型的償試對比下來，效率CoolMOS 最高，MOS次之，IGBT最低。（這是在2000W，1000W下對比的情況）。

我的設(shè)計(jì)是想能通過150%功率的沖擊。所以選管會(huì)保守很多。

謝謝回復(fù)，歡迎交流。

樓主，前級用移相全橋效率怎么樣？是全程閉環(huán)控制？前級電流不小，用的電流模式控制（沒看到電流互感器和續(xù)流電感）？之前也設(shè)想過用移相全橋來做逆變器前級，沒有時(shí)間試過，不知道相對傳統(tǒng)的推挽有沒有優(yōu)勢？

用移相全橋不錯(cuò)的，沒有用電流模式。至少管子的電壓可以做到?jīng)]有尖峰。我用的非晶環(huán)，加上繞行制工藝和布局，幾呼沒有漏感。通過調(diào)整死區(qū)做到了沒有尖峰。比推挽容易控制，電壓應(yīng)力只有推挽的一半。這個(gè)電壓下找兩毫歐以下的管子也不是難事。我現(xiàn)在用的是8毫歐的管子，在1000——2000W整機(jī)效率可到93%以上，用2毫歐的管子還能提高不少。

目前測下來前級主要損耗是導(dǎo)通損耗，我試了36.1k和18.05K的頻率，效率看不出變化。用IR2110做的移相全橋驅(qū)動(dòng)，由于其開通延時(shí)和關(guān)斷延時(shí)不同相，當(dāng)于加入了100mS的死區(qū)，我的軟件中死區(qū)已很小了，但還是沒有完全實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)。后橋臂上加并電容可能就能完全軟開關(guān)了，有時(shí)間再細(xì)調(diào)。從波形上看如果死區(qū)再調(diào)小，調(diào)到上面波形的前一個(gè)小缺口處導(dǎo)通就可實(shí)現(xiàn)全軟開關(guān)了。

我是自己的程序做移相控制，要比專用芯片控制調(diào)試自由靈活的多?，F(xiàn)在調(diào)試時(shí)在電源入口處加了一個(gè)電流霍耳在測電流，后期后級的保護(hù)做好了就去掉這個(gè)前級電流檢測環(huán)節(jié)了。

今天說一下在逆變H橋上使用mos管和CoolMos的時(shí)發(fā)生寄生導(dǎo)通的問題。

先看幾個(gè)波形：

下面綠色是下管DS電壓；黃色是下管的GS電壓。母線電壓380V左右，驅(qū)動(dòng)電壓13.7V.  時(shí)間是2.527mmS 處（正弦電壓的峰值附近）。交流負(fù)載2000W。

拉開看：

測出這樣的波形時(shí)，示波器探頭要下圖這樣用：

否則就則成這樣的波形了。

下圖是關(guān)斷驅(qū)動(dòng)為0歐時(shí)的波形，（死區(qū)1uS）。下管關(guān)斷，死區(qū)過后，上管導(dǎo)通時(shí)電壓上升斜率很大，D點(diǎn)電壓通過Ciss向Crss充電，雖然有驅(qū)動(dòng)電阻向下拉著，GS電壓還是被拉到了那么高。

從圖上看到了4V，實(shí)際上不到4V，其中有探頭上疊加的空中輻射。（要上到4 V就炸管了）這就是寄生導(dǎo)通的一種情形。

要克服這種情況，關(guān)斷驅(qū)動(dòng)必須是強(qiáng)有力的。從這點(diǎn)考慮加點(diǎn)負(fù)壓驅(qū)動(dòng)是必要的。

上面幾個(gè)圖中大家是不是沒有看到米勒平臺(tái)和柵極震蕩？是因?yàn)樯瞎荜P(guān)斷的下降沿是由續(xù)流形成的下降，不是下管開通帶來的下降沿。下管是零壓開通的。這個(gè)時(shí)刻上管的G極是可以看到米勒平臺(tái)和柵極震蕩。

使用CoolMos 管時(shí)更多的是看到柵極震蕩，米勒平臺(tái)并不平。