現有一款電源,要求,-48V輸入(-36V~-58.5V),輸出-58V,不要求隔離,效率不低于0.96(50%load)。
求問采用什么拓撲合理啊,BOOST升壓的話可能在輸入電壓高的時候有問題,
如果采用sepic拓撲,SEPIC電容是夠好選擇。
如果采用全橋逆變,以哪種控制方式好一些啊?變壓器副邊的整流方式也不太好抉擇啊,不太好選管子。
求大神指點
現有一款電源,要求,-48V輸入(-36V~-58.5V),輸出-58V,不要求隔離,效率不低于0.96(50%load)。
求問采用什么拓撲合理啊,BOOST升壓的話可能在輸入電壓高的時候有問題,
如果采用sepic拓撲,SEPIC電容是夠好選擇。
如果采用全橋逆變,以哪種控制方式好一些啊?變壓器副邊的整流方式也不太好抉擇啊,不太好選管子。
求大神指點
我就是沒有直接用BOOST做過這么大功率的電源,之前做的BOOST功率都很小,而且升壓比也大一些。
不清楚點一:BOOST輸入很接近輸入輸出時候,不知道控制是否好做。
不清楚點二:客戶是要求了-58.5V的輸入范圍,是否能夠就這么用開關管的壓降給他巧妙的避開。
不清楚點三:我看別個準備用5*6的那種貼片MOS做。散熱是否能過。還是用220/247的好一些。但是220/247的成本就高一些了。
你這6KW:
一般BOOST做不到了, 因為可以有切換MOSFET但輸出整流端用二極體達不到, 若是整流端也用MOSFET做成同步Boost, 那勢必要加死區, 只要加了死區, 那臨界點Vin 接近 Vout時, 電壓會突然掉下來產生UnderShooting
使用昇降壓IC來做, 一是考慮耐壓, 二是考慮溫度, 三是考慮輸出特性,
耐壓是因為升降IC會有兩組自舉迴路, 以58V輸入, 那麼耐壓要達100V Ratting 才可
溫度是這類IC要用多顆MOS並聯, 驅動電流怕不夠, 但是又不能外加驅動, 所以要選MOSFET
特性是, 當升壓轉降壓趨於臨界點時, 輸出一樣會出現UnderShooting , 當降壓轉升壓達臨界點時則輸出會出現OverSooting , 這種是電壓瞬間跨越時會出現, 週期寬度與Feed Respond 有關, 電壓高度則是因為處於
臨界點所以並不高, 就看客戶接不接受...
所以, 這種低壓大電流, 又電壓好接近, 你考慮選用推挽式加同步看看, 但效率要拉高且考慮死區時的漏磁問題, 可選正激推挽式再加輸出同步,但是正激推挽要加一顆大電容, 就看你體積如何
軍長,你好,就是考慮到輸出功率較大(電流大),所以,SEPIC/LLC這種需要加電容的電路就不好做了,電容不好選擇。
如果用推挽的方式去做,開關管工作在硬開關狀態,而且開關管要求耐壓高,不知道效率能不能達到要求。
我現在有兩種考慮:
一種是直接用BOOST做,這種方式做的話成本較低,控制也簡單;但是具有的問題就如之前所述;
第二種方案就是使用全橋移相+同步整流,分成2個3kw并聯。但是原邊電流較大,需要的諧振電感很小,怕漏感大了,占空比丟失太大,是不是可以在開關管上并聯電容解決這一問題。
老師,你給我留個郵箱,我最近做了這個原理圖的設計,我發您郵箱,你幫忙看下。
還有就是我現在這種拓撲可能不是最好的,有什么好的也可以推薦一下。