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SiC與Si性能對比 SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為: 1、擊穿電壓強度高(約10倍于Si) 2、更寬的禁帶(約3倍于Si) 3、熱導率高(約3倍于Si)。 高溫工作特性,SiC MOSFET比Si MOSFET更適合應用于高溫工作環境,原因在于一方面SiC MOSFET 自身損耗小,發熱量小,自身溫升相對較小,另一方面,熱導率高3倍于Si MOSFET。
碳化硅是第三代半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強等特性。相比與傳統的硅基功率半導體器件,具有導通電阻低,開關損耗小,工作結溫高,導熱能力強等顯著優勢。因此,采用碳化硅半導體器件的電力電子變換器,可以顯著提高開關頻率,縮小散熱器,儲能元件和濾波器的體積,從而實現更高的轉換效率和功率密度。
碳化硅產品在電動汽車,IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業應用等領域廣泛使用。