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MOSFET電流有效值如何計算?

輸入400V,輸出100V/20A的移相全橋DC-DC,假設其效率為95%,則原邊輸入直流平均值約5.25A,那么對于這個全橋MOSFET,每個管子流過的電流有效值Irms是多少?峰值Ip又是多少?其通態功耗是否可以認為是Irms*Irms*Rdson?
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hylylx
LV.9
2
2018-10-11 09:25
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CYX740111
LV.5
3
2018-10-17 21:58
假設每個MOS的占空比是D,Ip=5.25A/(2D),Irms=Ip*√D ,通態損耗=Irms2*Rds  。
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xinge7610
LV.3
4
2018-10-17 22:40
不可以這樣算.
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hxgyhdmb
LV.3
5
2018-10-18 07:26

頻率是100K,死區時間設置為0.3us,實測滿載時候基本占空比(移相角)打到基本最大量程,沒多少余量了。假設此時占空比為D=0.45,那么按照Ip=5.25A/(2D)=5.83A,Irms=Ip*√D=3.9A,所用的管子Rdson為0.1Ω,則通態損耗為Ploss=1.5W。不過實際測試發現,這個峰值電流Ip遠遠不止計算出來的5.83A,差不多9A之高了,這是怎么回事呢?

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wenhao1
LV.2
6
2018-10-18 07:54
@hxgyhdmb
頻率是100K,死區時間設置為0.3us,實測滿載時候基本占空比(移相角)打到基本最大量程,沒多少余量了。假設此時占空比為D=0.45,那么按照Ip=5.25A/(2D)=5.83A,Irms=Ip*√D=3.9A,所用的管子Rdson為0.1Ω,則通態損耗為Ploss=1.5W。不過實際測試發現,這個峰值電流Ip遠遠不止計算出來的5.83A,差不多9A之高了,這是怎么回事呢?
變壓器飽和了沒
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CYX740111
LV.5
7
2018-10-18 22:34
把電感電流反射到原邊(加入效率的考慮),再加上勵磁電流,便是MOS的Ipk。
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