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關于MOS管內阻大小問題

一款50W的產品,使用7A/650V的內阻為1.35歐姆的MOS管雷擊測試時會損壞,使用內阻為1.1歐的反而能過,但在制程中發現使用1.1歐內阻的MOS管會出現炸機,使用1.35歐姆的MOS管不會出現,請各位大蝦能幫忙分析一下原因嗎?
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top041376
LV.6
2
2018-08-27 09:05
沙發           
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hylylx
LV.9
3
2018-08-27 09:40
這事不能都怪在內阻身上吧。
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2018-08-27 11:01
這個貌似是設計本身的問題
0
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st.you
LV.10
5
2018-08-27 11:20
你們的工程師跑線上焊板去了啊?
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2018-08-27 22:29

上傳兩個MOS的規格書或是型號先

原則上與MOS自身關系不大

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2018-08-31 10:47

同意,兩個不相關的事

雷擊性能有問題,生產炸機與設計有關

1
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jiangzhi7
LV.2
8
2018-09-11 14:45
不能單獨看MOS管導通內阻,不同內阻其他參數也是不同的,比如MOS寄生電容等,這是有可能導致的原因,還有與變壓器、PCB寄生參數匹配等;從你描述來看,主要還是從設計上來找原因吧;
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2019-05-28 16:36

一般同廠家的同系列的MOS管,耐壓一樣,內阻越小芯片尺寸越大,抗雪崩能力越強。1.1歐姆的打雷擊可以過可能是芯片尺寸較大這個原因。

而實際工作時1.1歐會炸機,可能是內阻低,QG就高了,導致開關損耗大,發熱大,最后過熱炸機。

我是做MOS的。  希望能幫到你。

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