楊波的論文里提到過,但是不具體

想請教樓主一個問題呀.
LLC諧振上管要實現(xiàn)ZVS,首先是下管結電容COSS2充電,上管的結電容COSS1放電,只要當COSS1充電到VIN+0.7V左右,上管體內二極管放可以導通,此時才可以實現(xiàn)ZVS.這樣理解對?如果是對的那么下管COSS2上面的電壓怎么充到那么高的電壓?如果是錯的還望樓主詳細講解一下.

頂!!
我也被這個問題一直困擾

是這樣的,
基本上, 可以理解為, 在VGS變高前一刻, 有電流從MOSFET的體二極管流通, 使得VDS接近零(實際-1V左右), 這樣就實現(xiàn)了在VDS=0開通溝道. 即ZVS.

在諧振腔電路與負載總效果呈感性時, 電流滯后于電壓, 這樣ZVS就可以實現(xiàn)了. 你講的Coss充放電就是由這個滯后電流實現(xiàn)的. 注意MOSFET管上的電流是有正有負的.

跟一般的環(huán)路設計差不多吧,剛開始搞個比例環(huán)節(jié)進行補償,測出來再慢慢調..

搞個比例環(huán)節(jié)進行補償 是什么意思啊?

謝謝,DEEP-THOUQHT指點.這點我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點的電壓怎么能上升那么高.諧振時候,漏感和諧振上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點?我個人認為是結電容很小,可以在小于死區(qū)時間能內充到很高的值,正是由于VIN的存,有個乾位的作用,使HB點的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.