最近在一個96v轉12V轉換器（開關頻率50KHZ）上測試了兩款MOSFET 一款結電容比另外一款大一倍但是內阻小一倍，測試下來發現內阻小的竟然效率差，帶載能力也沒內阻大的那個強；本以為測試過程中出現紕漏，可是反復幾次，多次查找，也沒發現問題。看了一下示波器的波形，恍然大悟，這么小的占空比導通損耗肯定不占主導因素，于是用公式計算了一下與測試數據的趨勢基本吻合（開關損耗果然大于導通損耗）。因此得出一個結論再設計和測試中，公式計算還是非常必要的。本來整理了一些MOSFET相關的計算公式，最近電源網似乎附件再不上去，過幾天能正常添加了給大家共享一下。