IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降
低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓
降低。 專業名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點說GBT管是有MOS管（場效應管）和雙極型達林頓管結合而成。將場效應管做為推動管，大功率達林頓管作為
輸出管。這樣兩者優點有機的結合成現在的IGBT管，功率可以做的很大。 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩
種類型（juncTIon FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極
型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域
寬等優點。

這算最佳解答?樓主傻了么?這種資料網上找就有，干嘛來問?...... 誤人子弟!!

IGBT為MOS與BJT結何體，就如資料所言，但IGBT并不是速度快，而是速度慢，一般IGBT操作上限頻率不超過25KHz, 超過很容易崩潰，雖然現有操作頻率高的IGBT, 但是因為大多使用在高功率，沒人敢冒險...... 

IGBT的尤點是電流密度大，耐流200A~500A很普遍，但尤于是BJT與MOS結合，所以存在BJT特性--飽和電壓，一般界于3.2V上下，且存在"當操作溫度上升，其ID與散逸功率?下降"的缺點，其分界點分為25度C, 100度C兩規格，使用上需注意...... 

IGBT又分兩類，一是有帶內部二極體，一種沒有，若用于需有續流場合一定要選具有內部二極體，要不然磁性元件?發散....... 

MOSFET稱為金屬氧化場效應半導體，是以P或N為基座，再施以氧化層堆迭N或P, 中心挖槽植入G控制閘，因此當P或N施加電壓與控制閘產生電位時便?有電場產生，P與N?因為電場吸引產生通道，才?稱為場效應半導體...... 

而為了區分D或S, 通常在制程中需另長出一顆二極體或外掛于DIE中，以N-MOS為例，二極體N所連接腳稱為D, P點則為S, G則以絕緣層厚度讓控制電壓耐到20V~25V之間，且如前述可以是正或負電壓，通道形成強度電場電壓稱為Vth, 意指超過Vth時D-S即產生低阻，否則即為高阻... 

由于G-S非常靠近，因此兩極?產生一顆電容稱CISS, 而D-S為堆迭，兩不相通極片也形成一個電容稱CGD，因此才?有所謂米勒效應或米勒平臺，MOS具有高速操作特性，操作頻率一般不低于50KHz, 且具有極低的導通電阻沒有飽和電壓，因此操作于交換電路可以有極高效率..... 

Mos的電流密度與其材積大小有關，但是越大材積雖然可以流過極大電流，得到極低電阻，但相對CISS與CGD?同時升高，始米勒效應更加明顯，相對增加交換損失，而解決方式則是始用軟切換如零電壓切換或零電流切換.. 等

而兩者驅動方式可以一致，但操作頻率則不?相等........