如圖： 開始時(shí)，電流通過電阻R1流到三極管Q1基極,使三極管導(dǎo)通工作； R2為取樣電阻；工作電流I流過R2時(shí)產(chǎn)出電壓Vr； 當(dāng)Vr到0.5V左右達(dá)到Q2三極管導(dǎo)通電壓時(shí)，Q2導(dǎo)體導(dǎo)通；從而使Q1基極電流減少，從而限制工作電流I的增大，實(shí)現(xiàn)限流恒流的效果。此時(shí)Q1、Q2都工作在線性狀態(tài)。 LED工作電流I= 0.5V/R2。
線性恒流的特點(diǎn)主要為 簡(jiǎn)單、低成本、過EMI容易，基本貼片工藝一致性好！ 理論壽命較長(zhǎng)。 缺點(diǎn)為：受輸入電壓波動(dòng)影響較大，不接電容時(shí)容易閃爍及產(chǎn)生很高的頻閃（頻閃系數(shù)100%）。
對(duì)于高壓線性，原理先以明微的SM2318做個(gè)例子； 原理圖如下
電路設(shè)計(jì)為120V 版本；輸出LED為9V 15串，比例為9:4:2。
工作原理：輸入交流120V/60HZ 正弦波經(jīng)整流后；變成120HZ的直流半波電壓波形。 半波電壓爬升至每段LED導(dǎo)通電壓時(shí)，IC進(jìn)行恒流控制；使LED電流控制在一定范圍內(nèi)。
第1階段：如下圖 電壓在0時(shí)；沒電壓全部元件不工作； 當(dāng)電壓爬升達(dá)到一定，開始工作；工作時(shí)輸出腳 pin5、6、7里面的MOS均是開啟工作在導(dǎo)通狀態(tài)的。
弟2階段：電壓波形爬升至第一段電壓：9V*9=81V （實(shí)際LED在7V左右就已經(jīng)開始工作了）時(shí)；通道1 pin7 開始流過電流。當(dāng)電流達(dá)到設(shè)計(jì)值時(shí)，IC進(jìn)行限流恒流。此時(shí)通道1（PIN7）對(duì)地的波形：波谷部分為對(duì)應(yīng)半波由80V→0V→80V 段的波形；此時(shí)通道一 內(nèi)部MOS導(dǎo)通；故對(duì)地電壓為0。當(dāng)電流到達(dá)恒流點(diǎn)后，MOS工作在線性狀態(tài)，其余電壓均加在MOS上面；波形中的正半周電壓實(shí)際為整理后的半波電壓峰值166V 減去燈珠壓降約80V后 得出的峰值波形。
166-80=86V 與實(shí)測(cè)波形接近。
通道1（PIN7）對(duì)地的波形
第3階段：原理與上面一樣； 當(dāng)電壓爬升至80V時(shí) 通道一 導(dǎo)通工作； 電壓繼續(xù)爬升時(shí)至80V+4*9=119V時(shí)，通道二導(dǎo)通工作。
波形原理如通道一； 波谷時(shí)輸入電壓沒爬升至導(dǎo)通電壓119V，此時(shí)通道二MOS一直導(dǎo)通或無電壓。 到達(dá)119V 導(dǎo)通流過電流，當(dāng)電流到特定值時(shí)實(shí)現(xiàn)線性恒流； 加在通道二MOS峰值電壓波形為 輸入峰值166V- 119V 燈珠壓降=47V波形峰值；與實(shí)測(cè)波形接近！
第四階段： 電壓爬升至全部LED亮?xí)r，IC控制第三通道 pin5 實(shí)現(xiàn)線性恒流。
電流部分： 有了電壓波形；我們?cè)倏聪码娏鞑ㄐ危?
如圖；為通道一（PIN7）端口流過的電流波形；
前面的電流為0 階段實(shí)際為 電壓小于80V→0→小于80V 此階段因沒達(dá)到第一段燈珠開啟電壓故電流為0；當(dāng)電壓爬升至80V時(shí)開始出現(xiàn)電流上升并實(shí)現(xiàn)恒流 （電流波形變平時(shí)表示恒流狀態(tài)）；恒流一段時(shí)間后，電壓爬升至第二段使通道二開啟；通道一此時(shí)關(guān)閉，故此時(shí)也沒有電流。 電壓上升至波峰再回落時(shí)；通道一繼續(xù)實(shí)行恒流。 故中兩個(gè)緊挨的電流波形實(shí)際為一個(gè)半波狀態(tài) 通道一工作兩次的波形。
| 通道三，電流波形；電流最大值。 |
三通道疊加起來的電流波形：
結(jié)合如上電壓、電流波形； 我們可以推測(cè)此多段高壓線性恒流IC 的幾個(gè)原理特點(diǎn)；
① 由IC 開始工作時(shí)；通道的MOS都是處于導(dǎo)通狀態(tài)的。
② IC輸出電流通道是依次開啟導(dǎo)通。第一通道會(huì)是優(yōu)先通過電流。第二通道流過電流時(shí)；第一通道則會(huì)關(guān)閉，同樣第三通道流過電流時(shí)，前面兩通道關(guān)閉。
③ 三條通道 通過的電流是不一樣的！ IC輸出電流設(shè)置為電流有效值；其中第三通道為電流最大輸出電流端。
④ IC 內(nèi)部通道的幾個(gè)MOS應(yīng)該為開關(guān)MOS；主要負(fù)責(zé)依次開通與關(guān)閉。三條通道下面最終會(huì)串聯(lián)個(gè)功率MOS 作為線性恒流作用。
了解IC工作原理后；對(duì)電路設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)：
1. 線性模組；IC一般耐壓只有450V-650V；由于直接與電網(wǎng)連接，非常容易受浪涌、雷擊電壓打壞。 保護(hù)電路必須做好。
2. 第一通道為優(yōu)先通過電流的通道；建議端口前增加限流電阻以防止浪涌電流沖擊 損壞IC。
3. 設(shè)計(jì)參考的IC 最大電流應(yīng)為實(shí)測(cè)的最大峰值的電流，而非實(shí)測(cè)的有效電流；否則容易設(shè)計(jì)使用超出額定電流值。
4. IC 各PIN腳間及走線必須注意爬電距離；否則容易引起電弧打壞IC。
高壓線性 +前端好的浪涌保護(hù)電路 +去頻閃電路 +可控硅調(diào)光電路可以做出功能非常好且成本非常低的產(chǎn)品。
頻閃系數(shù)可做到1%左右； 可控硅兼容性美規(guī)主流調(diào)光器基本不閃········
臨放假隨便寫寫，后面有時(shí)間再把美規(guī)LED的相關(guān)技術(shù)總結(jié)寫下
