海飛樂技術IGBT模塊現貨替換FP25R12W2T4_B11。
IGBT的全球發展狀態，從市場競爭格局來看，美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導體大廠，產品線齊全，無論是功率 IC 還是功率分離器件都具有領先實力。
日本功率器件廠商主要有 Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric 等等。日本廠商在分立功率器件方面做的較好，但在功率芯片方面，雖然廠商數量眾多，但很多廠商的核心業務并非功率芯片，
IGBT保護方法，封鎖驅動信號
在逆變電源的負載過大或輸出短路的情況下，通過逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進行檢測。當檢測電流值超過設定的閾值時，保護動作封鎖所有橋臂的驅動信號。這種保護方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經特別設計，使其適用于短路情況。這種方法的缺點是會造成IGBT關斷時承受應力過大，特別是在關斷感性超大電流時，必須注意擎住效應。
影響變頻器IGBT模塊的電壓因素
（1）IGBT模塊的供電電壓過高時，將超出其安全工作范圍，導致其擊穿損壞；
（2）供電電壓過低時，使負載能力不足，運行電流加大，運行電機易產生堵轉現象，危及IGBT模塊的安全；
（3）供電電壓波動，如直流回路濾波（儲能）電容的失容等，會引起浪涌電流及尖峰電壓的產生，對IGBT模塊的安全運行產生威脅；
（4）IGBT的控制電壓——驅動電壓低落時，會導致IGBT的欠激勵，導通內阻變大，功耗與溫度上升，易于損壞IGBT模塊。
