也有可能是正常的，換用低阻大一點功率的管子試試

支持！！！

雖然不了解，但同樣支持一下

和功率管的電容有沒有關系，現在用的p75n75的Ciss Input capacitance 是5015uf

換成后羿的HY4306W 2.2毫歐 60v200A，發熱還是大，輸入電容是7406 uf

mark  一下

你的驅動基本上就有問題, 當C1,C2連接VCC, E1,E2 導通後給正電位, Q1可以導通, 但是當截止時, E1,E2等於開路

那Q2的偏壓勒??????????

請教如何改進？

驅動NPN+PNP B極加一顆1K電阻對地, 你現在MOSFET上Low 位準是因為有一顆10K電阻..

因此意味你充電快, 但是10K電阻放電慢....

非常感謝，晚上我試試

恭喜被添加到社區經典圖庫，并獲得1積分
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加上了電阻穩定許多了，但是波形還是差不多

用p75n75mos管發熱量小，換成HY4306的mos管發熱量大而且非常快，是不是和mos管的輸入電容有關，請指教。

這個可能和你的PCB的地電流回路走線有很大的關系 

這是pcb

圖mos管自左至右1、2、3。發熱量大小是3、2、1，3號mos管最熱2號其次，1號不熱

加了電阻電路穩定了，mos管g腳對地電阻我也換成4.7k了。波形還是一段好一段不好，請教如何改進。

你的反饋不行，還有E1 跟E2 是三極管的發射集 發射集接地控制比較穩一點

反饋請指教，e1e2我改改試試，謝謝指教

現在TL494輸出的pmw會內陷，藍色的就是TL494輸出的，不知道是什么問題，請指教

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