熱阻也不一樣吧

電流可以一樣，因為是同Die, 但模塊?較好..... 

247封裝雖然銅片大，但除了D?打在銅片上，S與G必需打銅線到花架上，所以?有阻抗，以模塊方式內部雖有打線，但很短，且花架也比277粗，

阻抗較低，因此同電流，但模塊散逸功率可以較大，奈受性也較好，但就是貴一點，除非不同Die.... 

謝謝回答，但模塊的晶粒明顯比247封裝的大好多，還拿igbt來說，4個60A的單管晶粒還沒一個75A的模塊的晶粒大

這要從晶圓談起, 一顆Die 打在SOT-23花架上, 假設額定電流為4A, 那麼包在TO-252, 可能額定電流為8A, 包在

To-220可能變10A, 因為這是以半導體物理特性的極限算出的, 但是可包在SOT-23的Die, 若用六吋晶圓製作, 良率90%, 則大約可以切割出4.5K左右, 所以一片六吋晶元目前不到100美元, 則去除以4.5K, 那麼每Pics Die其實很便宜

但是封裝就貴了, 因為當電流數增加, 所打的銅線數必須增加, 且花架也貴, 因此當這個Die打在tO-220雖然電流數增加, 但是扣除封裝能賣多少錢?事實上是劃不來的....

另外電流需要大, 那麼Die size 面積必須大, 它是成正比的, 要打在TO-220但是Die size 太大, 就只能打在TO-267, 若在規劃時To-267還是放不下, 那麼Die size 必須縮小, 如何縮小? 半保體制做必須開光罩, 而光罩有一層, 兩層.....多層, 每多一層則晶元越貴, 但是Die size 可以縮小, 這就是為何有些TO-267 元件特性很好, 價錢很貴的原因, 主要是層數多, 單顆Die就很貴, 但是沒辦法因為要放在TO-267或是TO-3P, 這大約已經最大的花架了, 要不就回到以前的TO-3, 空間可以更大.....

那回到原題, To-267 的Die 四片都不到模組一片大, 那就表示" 模組空間很大, 所以Die只要一層或兩層, 然後把Die size 變大, 讓通道變大相對承受較大電流" , 這就是為何你看到Die Size 不等比的原因.....

謝謝回答，講的很詳細，那這么說同樣參數 小封裝尺寸小須多層，大封裝尺寸大單層，價錢應該差不多。但實際上同樣參數的to247封裝價錢會比sot-227封裝宜很多，性能也會更差，那么是不是可以認為to-247是虛標呢？

也不能這樣認為，封裝與晶元不同點是:晶元是以光罩層數算，那是固定的，同樣六吋同光罩，良率高或切割顆數多則成本就低;;  封裝則是以大宗貨，則封裝就便宜，若不是大宗貨那價錢一定貴，另一個是加工難度，以SOP8來講所帶的銅與環氧樹酯都很多，若包成DFN5X5不僅銅帶的少，樹酯也少，但DFN就是比SOP8還貴，你覺的呢?

花架是指？Frame?

花架就是Pin 銅引腳, 以SOP8而言, 中心一片銅作襯底, 用連續模打出八隻腳, 左右各4 支, 再把Die 用銅線或金線或鋁線打在銅線上, 所以外邊焊錫部分整體稱為花架, 又以To220而言, 中心接腳為"D" 與鎖螺絲部份一體, 一樣連續模將三支PIN分開, 再將Die打在中心, S與G分別打銅線或鋁線連接, 整體也稱為" 花架"....

從本質上講我還是認為小封裝就是虛標，4個60A的單管絕對比不上一個75A的模塊，不管從芯片，價格，質量上都沒法比。用4個60A的單管做8KW半橋肯定比用75A模塊做8KW半橋壞的快

祝大伙中秋快樂

半導體的演進, 幾十年來一直在進步, 你說的沒錯, 四個單管要跟一的模片比, 以單片來說當然是不能比, 因為Die Size小, 雖然特性好, 但是因為是半導體, 所以只要半導體就會有所謂的"雪崩係數" (Avalanche), 而雪崩係數是以

每mm^2能承受的焦耳數決定, 所以Die Size越小, 當然雪崩係數越差.......

而發生雪崩通常是因為閉環發散致使失控造成或瞬間很大湧浪電流, 無論是操作間或發生短路.......

所以必須看你的電路結構, 與使用元件...假如同Die Size 則一般 Si (氮化矽) 與SIC (碳化矽) 那麼SIC會比Si強, 這是材質關係, 所以單管雖然Die Size 小, 但是長晶過程用的不會純然是使用氮化矽,會有參雜其他元素, 所以你要說壞的快不快,這我不予置評, 但就設計面來說:

當使用半橋, 上下橋用兩顆並聯, 當掛掉一橋只換兩顆元件, 上下橋同時掛除非設計有瑕疵, 但使用模塊, 不管上喬掛或下橋掛, 換就是全換, 因為不可能拆開換Die.......

參考吧.......