你做的產品,不同廠家的MOS可以直接替換嗎

怎么做,發個圖出來看看

哈哈,TOP 系列的就是這么做的,你已經想晚了啊

^o^人家比我聰明呀
不過如果不用top芯片,用其他芯片時我們可以那么做的呀,對不對?

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

高達700V的峰值壓輸入,又要采樣<5V的電壓,速度要高達x00KHz級,做到集成里面倒是方便.
用分立元件來做?恐怕很頭痛.
方案有嗎?

想法很好!可能實現很困難!

問題很多:
1、MOS管資料一般給出的是最大導通電阻Ron.
2、主管關斷期間幾百伏的高壓與導通時的幾百mV電壓如何處理.這種處理電路不會比用1只電流檢測電阻簡單吧.
3、對正激電容諧振復位電路很難實現實際電流檢測.
4、我沒用過TOP開關,TOP芯片內部電流檢測,也許單獨用了電阻,只不過集成在內部.

目前見到的應用:
1)TOP,做了很好的溫度補償,精度是7個點.
2)低壓非隔離DC/DC,未有溫度補償,變化率可達60%.

我看了一下top的芯片 的確他們是那么做的 并且他們可以在功能腳上還使用外部一個電阻做進一步的完善的

我認為在最大導通Ron時,就可以了,另外,你可以選用計算出檢流電阻稍大一點Ron的mos管對嗎 IR的mos管Ron一般都比較大,很適合用來做檢測電阻的

凌特有的器件就是這樣做的.

好主意,只是那二極管有點貴.

這樣應用成本太高了.比用電流互感器還要高.

我去年就用這樣的電流檢測方法做過了
是用在BOOST充電上的.
當時是UPS充電部分,就借用UPS全橋逆變的MOS用來充電. 這樣做效果也不錯.一般應先放大再比較. 當時限制電流在10A以內的.

可以探討一下?
QQ:9524069

哈,這點可是開關電源里最“臟”的一點了.

早就有這樣做的了,但是Rds(on)隨溫度的變化太大了,所以不同溫度下的差異太大,需要溫度補償.而且必須檢測mosfet的溫度,外部做溫度補償不是很好做,不光mosfet可以,連buck電路的電感也可以做電流檢測的,但也存在同樣電阻隨溫度變化的問題.上傳一個關于這方面的資料,希望對你有用.

1108968825.pdf

用在低壓DC/DC就容易做.
用在高壓(AC220V--DC310V)呢?3842做的單端反激電路有700V尖峰電壓.
TOP系列集成內部好搞,在集成里面做個零件容易,加一百個都不會增加多少硅片面積.
分立元件恐怕難搞多了.

方案貼出來給我們大家瞧瞧吧

Q1關斷時采樣點電壓可有幾百伏喲.

那有什么辦法呢 下面的同志怎么說做過呢

高壓確實不好做,為什么TOP好做呢?難道芯片內部不需要高壓的檢測嗎?高壓檢測成本不低.芯片內部應該也有絕緣距離的要求的,不知道它也是內部有電阻呢還是直接從mosfet上檢測呢,從它的示意圖是從mosfet上取的,但很多的示意圖都是和實際有出入的,不知道它是不是真的從mosfet上取電流檢測信號的.

能否這樣考慮呢.......在MOSFET上串個電阻再接個小開關進行取樣.......此開關和主開關管驅動信號相同,那樣我們就可以得到一個比較真實的電壓信號.但此信號不連續.

示意圖如下.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109068570.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

Q2要很高耐壓
1  Q2無法關斷
2  Q2無法采樣---Q1飽和導通壓降Vds才xxxmV

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109071109.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
看IR的MOS驅動器(IR2125)的應用電路中,有一種特殊的MOS管----多了一個S極---猜想能1/n 比例于主MOS的電流

肯定還要加些輔助電路才能實現三.如果這麼簡單就搞定了那早就有人這麼做了.我想這應該是個思路.如果做在芯片內部的話確實要好做得多.

好多內置mos的芯片都是這種表示法.
下面是仙童的.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109072675.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

IR2125只是推動電路而已,這是外置的MOSFET管.
很少見,就算能買到,估計選擇范圍也不寬.

就是,這種管子還沒見過....它會不是就是共用G共用D共用襯底的雙MOS而已啊???